等离子体辅助熔炼

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200380104608.9

申请日：

2003-12-04

公开(公告)号：

CN1750900A

公开(公告)日：

2006-03-22

发明(设计)人：

S·库马尔 D·库马尔

申请人：

申请人地址：

美国俄亥俄州

IPC主分类号：

B23K1000

IPC分类号：

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

杨晓光;李峥

法律状态：

公开

国省代码：

引用

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-03-22	公开	公开
2009-02-11	授权	授权
2006-05-17	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-02-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101037110751 IPC(主分类):B23K 10/00 专利号:ZL2003801046089 申请日:20031204 授权公告日:20090211 终止日期:20100104
2007-08-01	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更事项:申请人变更前权利人:达纳公司变更后权利人:BTU国际公司变更事项:地址变更前权利人:美国俄亥俄州变更后权利人:美国马萨诸塞州登记生效日:20070706

共 50 条

[1]

等离子体辅助连接 [P].

D·库马尔 ;

S·库马尔 .

中国专利 :CN100505976C ,2005-08-10

[2]

等离子体辅助渗碳 [P].

D·库马尔 ;

S·库马尔 ;

M·L·大多尔蒂 .

中国专利 :CN1652866A ,2005-08-10

[3]

等离子体辅助消除结晶 [P].

S·库马尔 ;

D·库马尔 .

中国专利 :CN100425106C ,2005-08-10

[4]

等离子体辅助热处理 [P].

S·库马尔 ;

D·库马尔 ;

M·L·大多尔蒂 .

中国专利 :CN100455144C ,2005-08-10

[5]

等离子体辅助涂覆 [P].

D·库马尔 ;

S·库马尔 .

中国专利 :CN100505975C ,2005-08-10

[6]

等离子体辅助合成 [P].

N·奥尼尔 ;

S·霍尔 ;

C·鲍赫 ;

G·利波尔德 ;

R·德尔特舍维 .

中国专利 :CN101730716B ,2010-06-09

[7]

等离子体辅助烧结 [P].

D·库马尔 ;

S·库马尔 .

中国专利 :CN1652889A ,2005-08-10

[8]

等离子体辅助氮表面处理 [P].

D·库马尔 ;

S·库马尔 .

中国专利 :CN100447289C ,2005-08-10

[9]

等离子体辅助增强涂覆 [P].

D·库马尔 ;

S·库马尔 .

中国专利 :CN100441732C ,2005-08-10

[10]

等离子体辅助气体产生 [P].

S·库马尔 ;

D·库马尔 .

中国专利 :CN1653574A ,2005-08-10

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