等离子体辅助消除结晶

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03810276.5

申请日：

2003-05-07

公开(公告)号：

CN100425106C

公开(公告)日：

2005-08-10

发明(设计)人：

S·库马尔 D·库马尔

申请人：

申请人地址：

美国马萨诸塞州

IPC主分类号：

H05H146

IPC分类号：

H01J3732

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

杨晓光;李峥

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-10-08	授权	授权
2011-07-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101087108815 IPC(主分类):H05H 1/46 专利号:ZL038102765 申请日:20030507 授权公告日:20081008 终止日期:20100507
2007-08-22	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更事项:申请人变更前权利人:达纳公司变更后权利人:BTU国际公司变更事项:地址变更前权利人:美国俄亥俄州变更后权利人:美国马萨诸塞州登记生效日:20070720
2005-10-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-08-10	公开	公开

共 50 条

[1]

等离子体辅助渗碳 [P].

D·库马尔 ;

S·库马尔 ;

M·L·大多尔蒂 .

中国专利 :CN1652866A ,2005-08-10

[2]

等离子体辅助涂覆 [P].

D·库马尔 ;

S·库马尔 .

中国专利 :CN100505975C ,2005-08-10

[3]

等离子体辅助连接 [P].

D·库马尔 ;

S·库马尔 .

中国专利 :CN100505976C ,2005-08-10

[4]

等离子体辅助熔炼 [P].

S·库马尔 ;

D·库马尔 .

中国专利 :CN1750900A ,2006-03-22

[5]

等离子体辅助热处理 [P].

S·库马尔 ;

D·库马尔 ;

M·L·大多尔蒂 .

中国专利 :CN100455144C ,2005-08-10

[6]

等离子体辅助烧结 [P].

D·库马尔 ;

S·库马尔 .

中国专利 :CN1652889A ,2005-08-10

[7]

等离子体辅助氮表面处理 [P].

D·库马尔 ;

S·库马尔 .

中国专利 :CN100447289C ,2005-08-10

[8]

等离子体辅助增强涂覆 [P].

D·库马尔 ;

S·库马尔 .

中国专利 :CN100441732C ,2005-08-10

[9]

等离子体辅助气体产生 [P].

S·库马尔 ;

D·库马尔 .

中国专利 :CN1653574A ,2005-08-10

[10]

等离子体辅助碳结构的形成 [P].

S·库马尔 ;

D·库马尔 .

中国专利 :CN1304103C ,2005-08-10

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