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半导体结构及其形成方法
被引：0
申请号：
CN202110863309.3
申请日：
2021-07-29
公开(公告)号：
CN115692497A
公开(公告)日：
2023-02-03
发明(设计)人：
王楠
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L2910
H01L2906
H01L21336
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
徐文欣
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2023-02-03 | 公开 | 公开 |