导电膜形成方法、导电膜、绝缘化方法以及绝缘膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280031175.8

申请日：

2012-06-22

公开(公告)号：

CN103650067A

公开(公告)日：

2014-03-19

发明(设计)人：

田边裕史大竹富明松木浩志

申请人：

申请人地址：

日本冈山县仓敷市

IPC主分类号：

H01B1300

IPC分类号：

G09F930 H01L2128 H01L21314 H01L213205 H01L21768 H01L23532

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

金龙河;穆德骏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-03-19	公开	公开
2017-02-15	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101746836458 IPC(主分类):H01B 13/00 专利申请号:2012800311758 申请公布日:20140319
2014-04-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581483461 IPC(主分类):H01B 13/00 专利申请号:2012800311758 申请日:20120622

共 50 条

[1]

感光性导电膜、导电膜的形成方法、导电图形的形成方法以及导电膜基板 [P].

山崎宏 .

中国专利 :CN102124529B ,2011-07-13

[2]

感光性导电膜、导电膜的形成方法、导电图形的形成方法以及导电膜基板 [P].

山崎宏 .

中国专利 :CN102789131A ,2012-11-21

[3]

感光性导电膜、导电膜的形成方法、导电图形的形成方法以及导电膜基板 [P].

山崎宏 .

中国专利 :CN103728794B ,2014-04-16

[4]

感光性导电膜、导电膜的形成方法、导电图形的形成方法以及导电膜基板 [P].

山崎宏 .

中国专利 :CN104282360A ,2015-01-14

[5]

抗蚀膜、导电膜、PTFE膜、荧光体成膜、以及绝缘膜的形成装置及其方法 [P].

小林一彦 ;

须田圭祐 .

中国专利 :CN105493233B ,2016-04-13

[6]

绝缘膜形成方法 [P].

佐藤吉宏 ;

中山友绘 ;

小林浩 ;

大崎良规 ;

高桥哲朗 .

中国专利 :CN101937844B ,2011-01-05

[7]

绝缘膜的形成方法 [P].

本乡俊明 ;

星野聪彦 .

中国专利 :CN1692478A ,2005-11-02

[8]

导电图形的形成方法以及导电膜基板 [P].

山崎宏 .

中国专利 :CN102645840A ,2012-08-22

[9]

导电膜的形成方法 [P].

赵胜衍 .

中国专利 :CN1073296A ,1993-06-16

[10]

导电图案的形成方法、导电膜、导电图案及透明导电膜 [P].

郑光春 ;

柳志勋 ;

李仁淑 ;

成俊基 ;

韩大尚 .

中国专利 :CN104919572B ,2015-09-16

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