一种降低直拉单晶硅氧含量提高成晶率的主加热器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201922269906.4

申请日：

2019-12-17

公开(公告)号：

CN211689295U

公开(公告)日：

2020-10-16

发明(设计)人：

霍志强武志军郭谦郭志荣王胜利康学兵赵志远韩凯张文霞高润飞

申请人：

申请人地址：

010070 内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号

IPC主分类号：

C30B1514

IPC分类号：

C30B1510 C30B2906

代理机构：

天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213

代理人：

栾志超

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-16	授权	授权

共 50 条

[1]

一种用于降低单晶硅棒氧含量的主加热器 [P].

曾宏强 ;

关树军 ;

洪华 ;

路建华 .

中国专利 :CN220555727U ,2024-03-05

[2]

有利于增加直拉单晶硅棒氧含量的加热器 [P].

丁亚国 ;

梁万亮 ;

马国忠 ;

顾燕滨 ;

河野贵之 .

中国专利 :CN210104123U ,2020-02-21

[3]

一种直拉单晶硅用加热器 [P].

惠宝锋 ;

马元良 ;

高俊伟 ;

韩永龙 ;

高玉顺 ;

宋生宏 .

中国专利 :CN216237368U ,2022-04-08

[4]

一种降低直拉单晶硅氧含量的导流筒 [P].

霍志强 ;

王建平 ;

郝勇 ;

高鹏 ;

黄伟 ;

池通河 ;

王秀娟 .

中国专利 :CN216585312U ,2022-05-24

[5]

一种降低单晶氧含量提高长晶速度的加热器 [P].

张文霞 ;

高润飞 ;

谷守伟 ;

徐强 ;

裘孝顺 ;

刘有益 ;

许建 ;

郭志荣 .

中国专利 :CN209989499U ,2020-01-24

[6]

一种降低硅单晶氧含量的主加热器 [P].

杨昊 ;

刘雅旭 ;

孙自阳 .

中国专利 :CN223214207U ,2025-08-12

[7]

一种提高直拉单晶硅成晶率的方法 [P].

李国明 ;

王艺澄 ;

王军磊 ;

王鑫 ;

白一帆 .

中国专利 :CN117587500A ,2024-02-23

[8]

一种降低直拉单晶硅中氧含量的方法 [P].

王军磊 ;

王岩 ;

谷守伟 ;

王永青 ;

贾海洋 ;

王建平 ;

武志军 ;

白大伟 ;

李小娜 ;

张茹 .

中国专利 :CN105019017A ,2015-11-04

[9]

一种能够降低单晶硅晶棒头部氧含量的单晶炉 [P].

赵会刚 ;

李德建 .

中国专利 :CN203715791U ,2014-07-16

[10]

一种直拉单晶硅用加热器及单晶生长炉 [P].

关树军 ;

罗才军 ;

赵智强 ;

张伟新 ;

陈辉 .

中国专利 :CN211546715U ,2020-09-22

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