非易失性半导体存储器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810095311.5

申请日：

2008-04-25

公开(公告)号：

CN101295735B

公开(公告)日：

2008-10-29

发明(设计)人：

石丸哲也岛本泰洋峰利之青木康伸鸟羽功一安井感

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L29792

IPC分类号：

H01L2951 H01L27115

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

王茂华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-09-08	授权	授权
2008-12-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2015-06-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101613152581 IPC(主分类):H01L 29/792 专利号:ZL2008100953115 申请日:20080425 授权公告日:20100908 终止日期:20140425
2008-10-29	公开	公开
2010-12-01	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101047189754 IPC(主分类):H01L 29/792 专利号:ZL2008100953115 变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社瑞萨科技变更后权利人:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本神奈川县登记生效日:20101021

共 50 条

[1]

非易失性半导体存储器件 [P].

石丸哲也 ;

久本大 ;

安井感 ;

木村绅一郎 .

中国专利 :CN1677675A ,2005-10-05

[2]

非易失性半导体存储器件 [P].

三谷祐一郎 ;

松下大介 .

中国专利 :CN100452440C ,2005-12-28

[3]

非易失性半导体存储器件 [P].

安田直树 .

中国专利 :CN103730516A ,2014-04-16

[4]

非易失性半导体存储器件 [P].

山崎舜平 ;

浅见良信 ;

高野圭惠 ;

古野诚 .

中国专利 :CN101047192B ,2007-10-03

[5]

非易失性半导体存储器件 [P].

安田直树 .

中国专利 :CN103646962B ,2014-03-19

[6]

非易失性半导体存储器件 [P].

有吉恵子 ;

高岛章 ;

菊地祥子 ;

村冈浩一 .

中国专利 :CN101378083B ,2009-03-04

[7]

非易失性半导体存储器件 [P].

有金刚 ;

久本大 ;

岛本泰洋 .

中国专利 :CN101373633A ,2009-02-25

[8]

非易失性半导体存储器件 [P].

石丸哲也 ;

岛本泰洋 ;

安井感 .

中国专利 :CN101290800B ,2008-10-22

[9]

非易失性半导体存储器件 [P].

菊地祥子 ;

高岛章 ;

安田直树 ;

村冈浩一 .

中国专利 :CN101330108A ,2008-12-24

[10]

非易失性半导体存储器件 [P].

茶木原启 ;

冈崎勉 .

中国专利 :CN101714559A ,2010-05-26

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