多晶硅铸锭用的免烧结坩埚涂层结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110397731.0

申请日：

2011-12-05

公开(公告)号：

CN103130528B

公开(公告)日：

2013-06-05

发明(设计)人：

黄春来薛抗美游达

申请人：

申请人地址：

221004 江苏省徐州市经济开发区杨山路88号

IPC主分类号：

C04B4189

IPC分类号：

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

何平

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-11	授权	授权
2013-07-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101486721932 IPC(主分类):C04B 41/89 专利申请号:2011103977310 申请日:20111205
2013-06-05	公开	公开

共 50 条

[1]

多晶硅铸锭用的免烧结坩埚涂层结构及其制备方法 [P].

谢岳峰 .

中国专利 :CN105621899A ,2016-06-01

[2]

一种多晶硅铸锭用坩埚及其制备方法 [P].

张学日 ;

钟德京 ;

刘兵 ;

陶能松 ;

孔令珂 .

中国专利 :CN111733453A ,2020-10-02

[3]

一种多晶硅铸锭用陶瓷坩埚免烧结涂层制备方法 [P].

刘晓兵 ;

吴红霞 ;

贾娇娇 ;

金浩 .

中国专利 :CN102850086A ,2013-01-02

[4]

多晶硅铸锭坩埚喷涂免烧结方法 [P].

熊涛涛 ;

马良 ;

印亚峰 ;

刘瑞柱 ;

王俊涛 .

中国专利 :CN102367572B ,2012-03-07

[5]

一种制备多晶硅铸锭用坩埚免烧结涂层的方法 [P].

黄辉 ;

梁学勤 ;

程达 .

中国专利 :CN102728532A ,2012-10-17

[6]

一种多晶硅铸锭用坩埚免烧结涂层方法 [P].

刘耀峰 .

中国专利 :CN104561963A ,2015-04-29

[7]

一种多晶硅铸锭用的坩埚、及其涂层结构和涂层制备方法 [P].

陈红荣 ;

胡动力 ;

何亮 ;

鄢俊琦 ;

孙庚昕 .

中国专利 :CN104109902A ,2014-10-22

[8]

多晶硅铸锭用坩埚涂层的制备方法以及坩埚 [P].

李仪成 ;

陈洁 ;

程小理 ;

昝武 ;

李建帅 .

中国专利 :CN103396170A ,2013-11-20

[9]

一种免烧结致密多晶硅铸锭用坩埚涂层的制备方法 [P].

吴迪 ;

薛培龙 ;

高玉刚 .

中国专利 :CN105801173A ,2016-07-27

[10]

一种多晶硅铸锭用石英坩埚涂层及其制备方法 [P].

张福军 ;

张伏严 ;

张晓艳 .

中国专利 :CN105818485A ,2016-08-03

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