一种制备多晶硅铸锭用坩埚免烧结涂层的方法

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专利类型
发明
申请号
CN201210219178.6
申请日
2012-06-29
公开(公告)号
CN102728532A
公开(公告)日
2012-10-17
发明(设计)人
黄辉 梁学勤 程达
申请人
申请人地址
443007 湖北省宜昌市猇亭区南玻路1号
IPC主分类号
B05D724
IPC分类号
B05D302
代理机构
宜昌市三峡专利事务所 42103
代理人
成钢
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种多晶硅铸锭用坩埚免烧结涂层方法 [P]. 
刘耀峰 .
中国专利 :CN104561963A ,2015-04-29
[2]
多晶硅铸锭用的免烧结坩埚涂层结构及其制备方法 [P]. 
黄春来 ;
薛抗美 ;
游达 .
中国专利 :CN103130528B ,2013-06-05
[3]
多晶硅铸锭用的免烧结坩埚涂层结构及其制备方法 [P]. 
谢岳峰 .
中国专利 :CN105621899A ,2016-06-01
[4]
一种多晶硅铸锭用陶瓷坩埚免烧结涂层制备方法 [P]. 
刘晓兵 ;
吴红霞 ;
贾娇娇 ;
金浩 .
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[5]
多晶硅铸锭坩埚喷涂免烧结方法 [P]. 
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马良 ;
印亚峰 ;
刘瑞柱 ;
王俊涛 .
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[6]
一种免烧结致密多晶硅铸锭用坩埚涂层的制备方法 [P]. 
吴迪 ;
薛培龙 ;
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[7]
一种多晶硅铸锭用坩埚涂层的制备方法以及坩埚 [P]. 
田进 ;
刘波波 ;
田伟 ;
赵俊 ;
李军 .
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[8]
多晶硅铸锭用坩埚涂层的制备方法以及坩埚 [P]. 
李仪成 ;
陈洁 ;
程小理 ;
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[9]
一种多晶硅铸锭用石英坩埚涂层及其制备方法 [P]. 
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张伏严 ;
张晓艳 .
中国专利 :CN105818485A ,2016-08-03
[10]
一种多晶硅铸锭用坩埚的制备方法 [P]. 
武建军 .
中国专利 :CN110451941A ,2019-11-15