用于压接式IGBT器件正面电极加工的基片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711017439.5

申请日：

2017-10-26

公开(公告)号：

CN107768437A

公开(公告)日：

2018-03-06

发明(设计)人：

金锐许生根杨晓鸾姜梅董少华崔磊

申请人：

申请人地址：

102200 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L23488

代理机构：

苏州国诚专利代理有限公司 32293

代理人：

韩凤

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-12	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/739 申请公布日:20180306
2018-03-06	公开	公开
2018-03-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20171026

共 50 条

[1]

压接式IGBT器件正面金属电极结构的制备方法 [P].

金锐 ;

许生根 ;

杨晓鸾 ;

姜梅 ;

董少华 ;

崔磊 .

中国专利 :CN107818916B ,2018-03-20

[2]

一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极加工方法 [P].

高明超 ;

王耀华 ;

刘江 ;

赵哿 ;

金锐 ;

温家良 ;

潘艳 .

中国专利 :CN107644810B ,2024-05-31

[3]

一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极加工方法 [P].

高明超 ;

王耀华 ;

刘江 ;

赵哿 ;

金锐 ;

温家良 ;

潘艳 .

中国专利 :CN107644810A ,2018-01-30

[4]

压接式IGBT器件 [P].

滕渊 ;

朱阳军 ;

卢烁今 ;

田晓丽 .

中国专利 :CN106601799A ,2017-04-26

[5]

压接式IGBT器件 [P].

高占成 ;

徐爱民 ;

顾标琴 .

中国专利 :CN202120918U ,2012-01-18

[6]

一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极 [P].

高明超 ;

王耀华 ;

刘江 ;

赵哿 ;

金锐 ;

温家良 ;

潘艳 .

中国专利 :CN205845937U ,2016-12-28

[7]

压接式IGBT的正面金属工艺 [P].

刘建华 ;

李雪萍 .

中国专利 :CN104241125B ,2014-12-24

[8]

压接式IGBT子模组结构和压接式IGBT器件 [P].

李寒 ;

石廷昌 ;

常桂钦 ;

李亮星 ;

董国忠 ;

张文浩 .

中国专利 :CN112992795A ,2021-06-18

[9]

压接式IGBT子模组结构和压接式IGBT器件 [P].

李寒 ;

石廷昌 ;

常桂钦 ;

李亮星 ;

董国忠 ;

张文浩 .

中国专利 :CN112992795B ,2024-04-19

[10]

一种改进的压接式IGBT器件 [P].

张朋 ;

李金元 ;

温家良 ;

唐新灵 ;

崔翔 ;

赵志斌 .

中国专利 :CN105470291A ,2016-04-06

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