一种氮化铝单晶薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611007128.6

申请日：

2016-11-16

公开(公告)号：

CN106504980A

公开(公告)日：

2017-03-15

发明(设计)人：

卢红亮张远丁士进张卫

申请人：

申请人地址：

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

上海正旦专利代理有限公司 31200

代理人：

陆飞;陆尤

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20170315
2017-03-15	公开	公开
2017-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20161116

共 50 条

[1]

一种氮化铝单晶薄膜的制备方法 [P].

陈贵锋 ;

谢路肖 ;

张辉 ;

张银 ;

解新建 ;

刘国栋 .

中国专利 :CN110219050B ,2019-09-10

[2]

一种可优化表面平整度的氮化铝单晶薄膜制备方法 [P].

陈贵锋 ;

谢路肖 ;

张辉 ;

张银 ;

解新建 ;

刘国栋 .

中国专利 :CN111005072B ,2020-04-14

[3]

氮化铝单晶薄膜及其制备方法 [P].

康琳 ;

吴培亨 ;

蔡卫星 ;

施建荣 ;

陈亚军 .

中国专利 :CN1482274A ,2004-03-17

[4]

氮化铝单晶薄膜及其制备方法和应用 [P].

苏冠华 ;

曹彦伟 ;

张如意 .

中国专利 :CN117448966A ,2024-01-26

[5]

氮化铝单晶薄膜制备方法、氮化铝单晶薄膜及发光二极管 [P].

周陈 ;

唐军 ;

牟伟明 .

中国专利 :CN112725896B ,2021-04-30

[6]

氮化铝单晶的制备方法和制备氮化铝单晶的装置 [P].

武红磊 ;

钟旭辉 ;

覃佐燕 .

中国专利 :CN109371467A ,2019-02-22

[7]

一种用于生长氮化铝的衬底预处理及单晶薄膜制备方法 [P].

陈贵锋 ;

李政廷 ;

林翔宇 ;

李易凡 ;

张辉 ;

解新建 .

中国专利 :CN119221113A ,2024-12-31

[8]

氮化铝单晶材料制备方法 [P].

杨少延 ;

魏鸿源 ;

焦春美 ;

刘祥林 .

中国专利 :CN102828251A ,2012-12-19

[9]

一种制备氮化铝单晶的方法 [P].

吴亮 ;

贺广东 ;

王智昊 ;

王琦琨 ;

龚加玮 ;

雷丹 ;

黄嘉丽 ;

黄毅 .

中国专利 :CN108624957A ,2018-10-09

[10]

制备氮化镓单晶薄膜的方法 [P].

陈弘 ;

韩英军 ;

周均铭 ;

于洪波 ;

黄绮 .

中国专利 :CN1500919A ,2004-06-02

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