制备氮化镓单晶薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02149351.0

申请日：

2002-11-13

公开(公告)号：

CN1500919A

公开(公告)日：

2004-06-02

发明(设计)人：

陈弘韩英军周均铭于洪波黄绮

申请人：

申请人地址：

100080北京市海淀区中关村南三街8号

IPC主分类号：

C30B2502

IPC分类号：

C30B2938

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司

代理人：

王凤华

法律状态：

专利权的终止(未缴年费专利权终止)

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-01-13	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2004-06-02	公开	公开
2005-11-23	授权	授权
2004-08-11	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

一种大尺寸柔性氮化镓单晶薄膜的制备方法 [P].

杨军 ;

孔玮 ;

马亚庆 .

中国专利 :CN114574970A ,2022-06-03

[2]

氮化镓单晶的制备方法 [P].

刘良宏 ;

庄德津 .

中国专利 :CN102220640B ,2011-10-19

[3]

制备氮化镓单晶薄膜材料的装置及方法 [P].

刘贵锋 ;

解新建 ;

王玉琦 .

中国专利 :CN101045997A ,2007-10-03

[4]

氮化镓单晶衬底的制备方法 [P].

卢敬权 ;

庄文荣 ;

孙明 .

中国专利 :CN111769036A ,2020-10-13

[5]

氮化镓单晶衬底的制备方法 [P].

卢敬权 ;

庄文荣 ;

孙明 .

中国专利 :CN111681946B ,2020-09-18

[6]

氮化镓单晶的制备方法 [P].

刘良宏 ;

庄德津 .

中国专利 :CN102140680A ,2011-08-03

[7]

氮化镓单晶的制备方法 [P].

庄文荣 .

中国专利 :CN120311312A ,2025-07-15

[8]

氮化镓薄膜外延生长结构及方法 [P].

李忠辉 ;

陈辰 ;

董逊 .

中国专利 :CN101302648A ,2008-11-12

[9]

氮化镓衬底、氮化镓单晶层及其制造方法 [P].

张林 ;

魏曙亮 .

中国专利 :CN114892264A ,2022-08-12

[10]

氮化镓衬底、氮化镓单晶层及其制造方法 [P].

张林 ;

魏曙亮 .

中国专利 :CN114892264B ,2024-03-05

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