一种制备HfC-SiC复相陶瓷的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310185351.X

申请日：

2013-05-17

公开(公告)号：

CN104163628B

公开(公告)日：

2014-11-26

发明(设计)人：

刘吉轩张国军刘海涛

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区定西路1295号

IPC主分类号：

C04B3556

IPC分类号：

C04B35622

代理机构：

上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258

代理人：

何葆芳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-10-28	授权	授权
2014-12-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101592948162 IPC(主分类):C04B 35/56 专利申请号:201310185351X 申请日:20130517
2021-04-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C04B 35/56 申请日:20130517 授权公告日:20151028 终止日期:20200517
2014-11-26	公开	公开

共 50 条

[1]

超高温HfC-SiC复相陶瓷及其制备方法 [P].

杨泰生 ;

胡利明 ;

刘海林 ;

陈玉峰 ;

唐婕 .

中国专利 :CN108689714A ,2018-10-23

[2]

一种HfC-SiC复相陶瓷基复合材料及其制备方法 [P].

梅敏 ;

李军平 ;

房金铭 ;

孙新 ;

李钰梅 ;

李俊宁 ;

王金明 ;

耿琼 ;

逄锦程 ;

胡继东 .

中国专利 :CN115849910B ,2025-01-17

[3]

化学气相共沉积法制备HfC-SiC复相梯度涂层的方法 [P].

冯涛 ;

李贺军 ;

付前刚 ;

童明德 .

中国专利 :CN108395279B ,2018-08-14

[4]

SiC纳米线增韧化学气相共沉积HfC-SiC复相涂层的制备方法 [P].

冯涛 ;

李贺军 ;

付前刚 ;

童明德 .

中国专利 :CN109485423B ,2019-03-19

[5]

一种SiC纳米线增韧化学气相共沉积HfC-SiC复相涂层的制备方法 [P].

付前刚 ;

童明德 ;

冯涛 .

中国专利 :CN113336576A ,2021-09-03

[6]

一种ZrC1-x-SiC复相陶瓷的制备方法 [P].

刘吉轩 ;

张国军 .

中国专利 :CN108002839A ,2018-05-08

[7]

一种HfC-SiC超高温陶瓷先驱体的制备方法 [P].

王小宙 ;

程军 ;

王军 ;

王浩 ;

邵长伟 ;

简科 .

中国专利 :CN109054026B ,2018-12-21

[8]

SiC基复相陶瓷及其制备方法 [P].

刘荣军 ;

黄禄明 ;

王衍飞 ;

曹英斌 ;

贺鹏博 ;

万帆 ;

张长瑞 .

中国专利 :CN106747455A ,2017-05-31

[9]

一种高HfC含量C/HfC-SiC复合材料的制备方法 [P].

于新民 ;

孙同臣 ;

王涛 ;

裴雨辰 ;

冯超 .

中国专利 :CN106882974A ,2017-06-23

[10]

一种SiC-TiC复相陶瓷及其制备方法和应用 [P].

肖琼 ;

王在峰 ;

卢天平 ;

李延星 .

中国专利 :CN117964372A ,2024-05-03

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