化学气相共沉积法制备HfC-SiC复相梯度涂层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810125939.9

申请日：

2018-02-08

公开(公告)号：

CN108395279B

公开(公告)日：

2018-08-14

发明(设计)人：

冯涛李贺军付前刚童明德

申请人：

申请人地址：

710072 陕西省西安市友谊西路127号

IPC主分类号：

C04B4187

IPC分类号：

代理机构：

西北工业大学专利中心 61204

代理人：

王鲜凯

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 41/87 申请日:20180208
2021-09-17	授权	授权
2018-08-14	公开	公开

共 50 条

[1]

SiC纳米线增韧化学气相共沉积HfC-SiC复相涂层的制备方法 [P].

冯涛 ;

李贺军 ;

付前刚 ;

童明德 .

中国专利 :CN109485423B ,2019-03-19

[2]

一种SiC纳米线增韧化学气相共沉积HfC-SiC复相涂层的制备方法 [P].

付前刚 ;

童明德 ;

冯涛 .

中国专利 :CN113336576A ,2021-09-03

[3]

一种制备HfC-SiC复相陶瓷的方法 [P].

刘吉轩 ;

张国军 ;

刘海涛 .

中国专利 :CN104163628B ,2014-11-26

[4]

超高温HfC-SiC复相陶瓷及其制备方法 [P].

杨泰生 ;

胡利明 ;

刘海林 ;

陈玉峰 ;

唐婕 .

中国专利 :CN108689714A ,2018-10-23

[5]

一种SiC纳米线增韧化学气相沉积ZrC涂层及制备方法 [P].

李贺军 ;

李博 ;

姚西媛 ;

张雨雷 .

中国专利 :CN111485220A ,2020-08-04

[6]

SiC化学气相沉积装置 [P].

梅田喜一 ;

奥野好成 ;

金田一麟平 .

中国专利 :CN111349908A ,2020-06-30

[7]

化学气相沉积法制备石墨烯 [P].

金闯 ;

杨晓明 .

中国专利 :CN104030277A ,2014-09-10

[8]

化学气相沉积法制备石墨烯的方法 [P].

刘云圻 ;

魏大程 ;

狄重安 ;

王钰 ;

张洪亮 ;

黄丽平 ;

于贵 .

中国专利 :CN101285175A ,2008-10-15

[9]

化学气相沉积法制备薄膜的装置 [P].

董才士 .

中国专利 :CN1940131A ,2007-04-04

[10]

化学气相沉积衬底的制备方法以及化学气相沉积方法 [P].

杨峰 ;

刘羊 ;

曹林 ;

王和风 ;

杨雁培 ;

陈杨 ;

冯锡文 ;

符小弟 ;

尹士平 .

中国专利 :CN119776795B ,2025-11-25

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