发光二极管晶粒

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510029268.2

申请日：

2015-01-21

公开(公告)号：

CN105870280B

公开(公告)日：

2016-08-17

发明(设计)人：

黄建翔洪梓健

申请人：

申请人地址：

518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

代理机构：

深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334

代理人：

汪飞亚

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-09-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101678616863 IPC(主分类):H01L 33/14 专利申请号:2015100292682 申请日:20150121
2019-07-09	授权	授权
2016-08-17	公开	公开

共 50 条

[1]

发光二极管封装结构、发光二极管晶粒及其制造方法 [P].

张超雄 ;

林厚德 ;

陈滨全 ;

陈隆欣 ;

曾文良 .

中国专利 :CN105489722B ,2016-04-13

[2]

发光二极管 [P].

李冬梅 ;

任加洛 ;

陶亚权 ;

王思博 ;

廖汉忠 ;

芦玲 .

中国专利 :CN118213446A ,2024-06-18

[3]

发光二极管 [P].

朱涛 ;

宋长伟 ;

芦玲 .

中国专利 :CN117317086B ,2024-05-24

[4]

发光二极管 [P].

李冬梅 ;

任加洛 ;

陶亚权 ;

王思博 ;

廖汉忠 ;

芦玲 .

中国专利 :CN118213446B ,2025-03-28

[5]

发光二极管 [P].

吴世熙 ;

金贤儿 ;

金钟奎 ;

林亨镇 .

中国专利 :CN109075184A ,2018-12-21

[6]

发光二极管 [P].

吴世熙 ;

金贤儿 ;

金钟奎 ;

林亨镇 .

中国专利 :CN111128987A ,2020-05-08

[7]

发光二极管晶粒 [P].

张秀萍 .

中国专利 :CN103078051A ,2013-05-01

[8]

发光二极管晶粒 [P].

洪梓健 ;

沈佳辉 ;

彭建忠 .

中国专利 :CN103066177A ,2013-04-24

[9]

垂直型发光二极管 [P].

朱秀山 ;

童玲 ;

徐慧文 .

中国专利 :CN107665937A ,2018-02-06

[10]

垂直型发光二极管 [P].

朱秀山 ;

童玲 ;

徐慧文 .

中国专利 :CN205900579U ,2017-01-18

← 1 2 3 4 5 →