发光二极管晶粒

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专利类型
发明
申请号
CN201110318277.5
申请日
2011-10-19
公开(公告)号
CN103066177A
公开(公告)日
2013-04-24
发明(设计)人
洪梓健 沈佳辉 彭建忠
申请人
申请人地址
518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号
IPC主分类号
H01L3320
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
发光二极管晶粒 [P]. 
张秀萍 .
中国专利 :CN103078051A ,2013-05-01
[2]
发光二极管晶粒 [P]. 
黄建翔 ;
洪梓健 .
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[3]
发光二极管晶粒及使用该晶粒的发光二极管封装结构 [P]. 
沈佳辉 ;
洪梓健 .
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[4]
微型发光二极管晶粒及微型发光二极管晶圆 [P]. 
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李玉柱 .
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[5]
发光二极管晶粒制造方法 [P]. 
黄嘉宏 ;
黄世晟 ;
凃博闵 ;
杨顺贵 .
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[6]
发光二极管晶粒 [P]. 
饶智昇 ;
张文铧 ;
徐达伟 ;
黄萌祺 ;
彭燿祈 .
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[7]
发光二极管晶粒 [P]. 
沈佳辉 ;
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[8]
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蔡钟炫 ;
卢元英 ;
李俊燮 ;
姜珉佑 ;
张锺敏 ;
金贤儿 ;
裴善敏 ;
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[9]
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朴德炫 ;
文盛煜 ;
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郑炳学 .
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[10]
发光二极管和包括发光二极管的发光二极管阵列 [P]. 
李建和 ;
崔炳均 .
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