发光二极管晶粒及使用该晶粒的发光二极管封装结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210109929.9

申请日：

2012-04-16

公开(公告)号：

CN103378233B

公开(公告)日：

2013-10-30

发明(设计)人：

沈佳辉洪梓健

申请人：

申请人地址：

518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号

IPC主分类号：

H01L3302

IPC分类号：

代理机构：

深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311

代理人：

叶小勤

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-10-30	公开	公开
2013-11-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101545326178 IPC(主分类):H01L 33/02 专利申请号:2012101099299 申请日:20120416
2016-02-10	授权	授权

共 50 条

[1]

发光二极管晶粒 [P].

张秀萍 .

中国专利 :CN103078051A ,2013-05-01

[2]

发光二极管晶粒 [P].

洪梓健 ;

沈佳辉 ;

彭建忠 .

中国专利 :CN103066177A ,2013-04-24

[3]

发光二极管晶粒及其制造方法、发光二极管封装结构 [P].

凃博闵 ;

黄世晟 ;

林雅雯 .

中国专利 :CN102593302A ,2012-07-18

[4]

发光二极管晶粒及其制造方法、发光二极管封装结构 [P].

黄世晟 ;

凃博闵 ;

林雅雯 .

中国专利 :CN102593287A ,2012-07-18

[5]

发光二极管封装结构、发光二极管晶粒及其制造方法 [P].

张超雄 ;

林厚德 ;

陈滨全 ;

陈隆欣 ;

曾文良 .

中国专利 :CN105489722B ,2016-04-13

[6]

发光二极管晶粒及其制造方法、发光二极管封装结构 [P].

黄世晟 ;

凃博闵 ;

林雅雯 .

中国专利 :CN102593306B ,2012-07-18

[7]

发光二极管晶粒 [P].

黄建翔 ;

洪梓健 .

中国专利 :CN105870280B ,2016-08-17

[8]

发光二极管及发光二极管封装 [P].

朴德炫 ;

文盛煜 ;

朴相绿 ;

郑炳学 .

中国专利 :CN107851688B ,2018-03-27

[9]

发光二极管晶粒 [P].

饶智昇 ;

张文铧 ;

徐达伟 ;

黄萌祺 ;

彭燿祈 .

中国专利 :CN104300076A ,2015-01-21

[10]

发光二极管晶粒 [P].

沈佳辉 ;

洪梓健 .

中国专利 :CN104112804A ,2014-10-22

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