发光二极管晶粒及其制造方法、发光二极管封装结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110004141.7

申请日：

2011-01-10

公开(公告)号：

CN102593306B

公开(公告)日：

2012-07-18

发明(设计)人：

黄世晟凃博闵林雅雯

申请人：

申请人地址：

518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号

IPC主分类号：

H01L3342

IPC分类号：

H01L3302 H01L3348 H01L3362 H01L3364 H01L3300

代理机构：

深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311

代理人：

徐丽昕

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-10	授权	授权
2012-07-18	公开	公开
2021-12-24	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/42 申请日:20110110 授权公告日:20141210 终止日期:20210110
2012-09-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101327318835 IPC(主分类):H01L 33/42 专利申请号:2011100041417 申请日:20110110

共 50 条

[1]

发光二极管晶粒及其制造方法、发光二极管封装结构 [P].

黄世晟 ;

凃博闵 ;

林雅雯 .

中国专利 :CN102593287A ,2012-07-18

[2]

发光二极管晶粒及其制造方法、发光二极管封装结构 [P].

凃博闵 ;

黄世晟 ;

林雅雯 .

中国专利 :CN102593302A ,2012-07-18

[3]

发光二极管封装结构、发光二极管晶粒及其制造方法 [P].

张超雄 ;

林厚德 ;

陈滨全 ;

陈隆欣 ;

曾文良 .

中国专利 :CN105489722B ,2016-04-13

[4]

发光二极管封装、发光二极管系统及其制造方法 [P].

金维植 .

中国专利 :CN101577303A ,2009-11-11

[5]

发光二极管组件、发光二极管封装结构及其制造方法 [P].

李娇 ;

李春娥 .

中国专利 :CN102646769B ,2012-08-22

[6]

发光二极管及发光二极管封装 [P].

朴德炫 ;

文盛煜 ;

朴相绿 ;

郑炳学 .

中国专利 :CN107851688B ,2018-03-27

[7]

发光二极管封装结构 [P].

卢芷筠 .

中国专利 :CN202513205U ,2012-10-31

[8]

发光二极管封装结构 [P].

黄世晟 ;

凃博闵 .

中国专利 :CN102593113B ,2012-07-18

[9]

发光二极管封装结构 [P].

汪楷伦 ;

许时渊 .

中国专利 :CN102456824A ,2012-05-16

[10]

发光二极管封装结构、发光二极管封装模块 [P].

简伊辰 ;

徐世昌 .

中国专利 :CN111293199A ,2020-06-16

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