发光二极管封装结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110003606.7

申请日：

2011-01-10

公开(公告)号：

CN102593113B

公开(公告)日：

2012-07-18

发明(设计)人：

黄世晟凃博闵

申请人：

申请人地址：

518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号

IPC主分类号：

H01L25075

IPC分类号：

H01L3348 H01L3362 H01L3302 H01L3342

代理机构：

深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334

代理人：

谢志为

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101327312612 IPC(主分类):H01L 25/075 专利申请号:2011100036067 申请日:20110110
2012-07-18	公开	公开
2015-04-01	授权	授权
2021-12-24	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 25/075 申请日:20110110 授权公告日:20150401 终止日期:20210110

共 50 条

[1]

发光二极管封装结构 [P].

卢芷筠 .

中国专利 :CN202513205U ,2012-10-31

[2]

发光二极管封装结构 [P].

汪楷伦 ;

许时渊 .

中国专利 :CN102456824A ,2012-05-16

[3]

发光二极管晶粒及其制造方法、发光二极管封装结构 [P].

凃博闵 ;

黄世晟 ;

林雅雯 .

中国专利 :CN102593302A ,2012-07-18

[4]

发光二极管晶粒及其制造方法、发光二极管封装结构 [P].

黄世晟 ;

凃博闵 ;

林雅雯 .

中国专利 :CN102593287A ,2012-07-18

[5]

发光二极管晶粒及其制造方法、发光二极管封装结构 [P].

黄世晟 ;

凃博闵 ;

林雅雯 .

中国专利 :CN102593306B ,2012-07-18

[6]

发光二极管封装结构 [P].

倪亮 .

中国专利 :CN201281306Y ,2009-07-29

[7]

发光二极管封装结构 [P].

曾焕哲 ;

温伟值 ;

潘锡明 .

中国专利 :CN2867600Y ,2007-02-07

[8]

发光二极管封装结构 [P].

田运宜 .

中国专利 :CN104282814A ,2015-01-14

[9]

发光二极管及发光二极管封装 [P].

朴德炫 ;

文盛煜 ;

朴相绿 ;

郑炳学 .

中国专利 :CN107851688B ,2018-03-27

[10]

发光二极管封装结构 [P].

洪梓健 ;

沈佳辉 .

中国专利 :CN102386290A ,2012-03-21

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