离子源水冷结构及离子源

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202120141830.1

申请日：

2021-01-19

公开(公告)号：

CN213936110U

公开(公告)日：

2021-08-10

发明(设计)人：

刘伟基冀鸣吴秋生赵刚易洪波

申请人：

申请人地址：

528400 广东省中山市火炬开发区科技东路39号之二219、220室

IPC主分类号：

H01J2714

IPC分类号：

代理机构：

广州市律帆知识产权代理事务所(普通合伙) 44614

代理人：

王园园

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-10	授权	授权

共 50 条

[1]

微波离子源 [P].

崔保群 ;

蒋渭生 ;

李立强 ;

马鹰俊 ;

姜冲 ;

唐兵 ;

马瑞刚 .

中国专利 :CN100580858C ,2007-04-11

[2]

一种离子源阳极水冷结构 [P].

徐鸣 ;

杜楠 ;

罗伟 ;

安建昊 ;

唐欢欢 .

中国专利 :CN221529865U ,2024-08-13

[3]

新型霍尔离子源 [P].

汤兆胜 ;

孙红俊 .

中国专利 :CN202268322U ,2012-06-06

[4]

水冷环形热阴极离子源中和器 [P].

邓翔宇 .

中国专利 :CN106229248A ,2016-12-14

[5]

水冷环形热阴极离子源中和器 [P].

施春燕 .

中国专利 :CN105097398A ,2015-11-25

[6]

一种用于PVD离子源靶材的水冷结构 [P].

侯瑞 ;

张鹏蛟 ;

李俊周 ;

张月林 ;

孙安 ;

张鸿 ;

宋杰 ;

刘友春 ;

许世全 ;

李玉斌 .

中国专利 :CN216688301U ,2022-06-07

[7]

一种微波离子源 [P].

崔保群 ;

蒋渭生 ;

唐兵 ;

马瑞刚 ;

马鹰俊 ;

陈立华 ;

黄青华 .

中国专利 :CN103426706A ,2013-12-04

[8]

一种离子源磁场分布结构 [P].

刘野 ;

刘晓华 ;

马槽伟 .

中国专利 :CN205590789U ,2016-09-21

[9]

一种离子源磁场分布结构 [P].

刘野 ;

刘晓华 ;

马槽伟 .

中国专利 :CN105441889A ,2016-03-30

[10]

弧光离子源增强磁控溅射装置 [P].

余益飞 ;

杨兵 ;

黎明 ;

付德君 .

中国专利 :CN201169620Y ,2008-12-24

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