硅基板蚀刻溶液及利用其的半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911051517.2

申请日：

2019-10-31

公开(公告)号：

CN111117625B

公开(公告)日：

2020-05-08

发明(设计)人：

柳浩成金明炫文暎善李浚银张平和

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

C09K1306

IPC分类号：

C09K1308 H01L21311

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

吕琳;宋东颖

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-08	公开	公开
2021-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 13/06 申请日:20191031
2022-08-23	授权	授权

共 50 条

[1]

硅基板蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制造方法 [P].

柳浩成 ;

金明炫 ;

文暎善 ;

李浚银 ;

张平和 .

中国专利 :CN111303885B ,2020-06-19

[2]

硅基板蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制造方法 [P].

柳浩成 ;

金明炫 ;

李浚银 ;

张平和 .

中国专利 :CN111484850A ,2020-08-04

[3]

氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法 [P].

柳浩成 ;

金明炫 ;

梁俊镐 ;

庾煉晳 ;

李浚银 ;

张平和 .

中国专利 :CN112779014A ,2021-05-11

[4]

氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法 [P].

柳浩成 .

韩国专利 :CN112824482B ,2024-03-26

[5]

氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法 [P].

柳浩成 ;

金明炫 ;

李浚银 .

中国专利 :CN112210379A ,2021-01-12

[6]

氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法 [P].

柳浩成 .

中国专利 :CN112824482A ,2021-05-21

[7]

氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法 [P].

柳浩成 ;

金明炫 ;

梁俊镐 ;

庾煉晳 ;

李浚银 ;

张平和 .

韩国专利 :CN112779014B ,2024-01-09

[8]

氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法 [P].

柳浩成 ;

金明炫 ;

李浚银 .

中国专利 :CN112216607A ,2021-01-12

[9]

氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法 [P].

柳浩成 ;

金明炫 ;

梁俊镐 ;

李浚银 ;

张平和 .

中国专利 :CN112521946A ,2021-03-19

[10]

氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法 [P].

柳浩成 ;

金明炫 ;

李浚银 .

中国专利 :CN112210380A ,2021-01-12

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