硅基板蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911269619.1

申请日：

2019-12-11

公开(公告)号：

CN111303885B

公开(公告)日：

2020-06-19

发明(设计)人：

柳浩成金明炫文暎善李浚银张平和

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

C09K1306

IPC分类号：

H01L21306

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

吕琳;宋东颖

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 13/06 申请日:20191211
2023-01-13	授权	授权
2020-06-19	公开	公开

共 50 条

[1]

硅基板蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制造方法 [P].

柳浩成 ;

金明炫 ;

李浚银 ;

张平和 .

中国专利 :CN111484850A ,2020-08-04

[2]

硅基板蚀刻溶液及利用其的半导体器件的制造方法 [P].

柳浩成 ;

金明炫 ;

文暎善 ;

李浚银 ;

张平和 .

中国专利 :CN111117625B ,2020-05-08

[3]

蚀刻组合物、蚀刻方法及利用其的半导体器件的制造方法 [P].

柳灏成 ;

李浚银 ;

张平和 ;

金容逸 ;

朴镇 .

中国专利 :CN109216187A ,2019-01-15

[4]

半导体基板、半导体器件及半导体基板的制造方法 [P].

山中贞则 ;

高田朋幸 ;

秦雅彦 .

中国专利 :CN102668029A ,2012-09-12

[5]

氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法 [P].

柳浩成 ;

金明炫 ;

梁俊镐 ;

庾煉晳 ;

李浚银 ;

张平和 .

中国专利 :CN112779014A ,2021-05-11

[6]

氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法 [P].

柳浩成 .

韩国专利 :CN112824482B ,2024-03-26

[7]

氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法 [P].

柳浩成 .

中国专利 :CN112824482A ,2021-05-21

[8]

氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法 [P].

柳浩成 ;

金明炫 ;

李浚银 .

中国专利 :CN112210379A ,2021-01-12

[9]

氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法 [P].

柳浩成 ;

金明炫 ;

梁俊镐 ;

庾煉晳 ;

李浚银 ;

张平和 .

韩国专利 :CN112779014B ,2024-01-09

[10]

蚀刻方法以及半导体器件的制造方法 [P].

森琢哉 ;

高桥正彦 .

中国专利 :CN101546709A ,2009-09-30

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