蚀刻方法以及半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910130006.X

申请日：

2009-03-26

公开(公告)号：

CN101546709A

公开(公告)日：

2009-09-30

发明(设计)人：

森琢哉高桥正彦

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L213213

IPC分类号：

H01L2128 H01L21336

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所

代理人：

刘新宇;陈立航

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-04-06	授权	授权
2009-11-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-09-30	公开	公开
2022-03-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/3213 申请日:20090326 授权公告日:20110406 终止日期:20210326

共 50 条

[1]

蚀刻方法以及半导体器件的制造方法 [P].

饭嶋悦夫 ;

堀口克己 .

中国专利 :CN101154582B ,2008-04-02

[2]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

甲斐徹哉 ;

笠井良夫 ;

角田弘昭 ;

萩原裕之 ;

小林英行 .

中国专利 :CN1330393A ,2002-01-09

[3]

蚀刻方法、蚀刻装置以及半导体器件的制造方法 [P].

藤井真治 .

中国专利 :CN1592956A ,2005-03-09

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

森门六月生 .

中国专利 :CN101132010A ,2008-02-27

[5]

制造半导体器件的方法 [P].

权五成 ;

金辰泰 .

中国专利 :CN1144397A ,1997-03-05

[6]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

袋武人 ;

冲原将生 .

中国专利 :CN1945843A ,2007-04-11

[7]

半导体器件的制造方法 [P].

立山克郎 .

中国专利 :CN107785431A ,2018-03-09

[8]

半导体器件制造方法 [P].

堀川贡弘 .

中国专利 :CN1111904C ,1999-04-07

[9]

蚀刻方法和半导体器件的制造方法 [P].

饗场康 ;

神户乔史 .

中国专利 :CN110808228A ,2020-02-18

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

南方浩志 .

中国专利 :CN1841681A ,2006-10-04

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