制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN96107491.4

申请日：

1996-05-04

公开(公告)号：

CN1144397A

公开(公告)日：

1997-03-05

发明(设计)人：

权五成金辰泰

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21285 H01L21265 H01L21306 H01L21324

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

萧掬昌;叶恺东

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-07-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101087109244 IPC(主分类):H01L 21/768 专利号:ZL961074914 申请日:19960504 授权公告日:20020417 终止日期:20100504
1997-03-05	公开	公开
2002-04-17	授权	授权
1997-02-12	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法 [P].

井上满夫 ;

宫川修 ;

坂本孝雄 .

中国专利 :CN1717781A ,2006-01-04

[2]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

甲斐徹哉 ;

笠井良夫 ;

角田弘昭 ;

萩原裕之 ;

小林英行 .

中国专利 :CN1330393A ,2002-01-09

[3]

半导体器件的制造方法 [P].

大谷久 ;

福永健司 ;

宫永昭治 .

中国专利 :CN1135608C ,1996-08-14

[4]

制造半导体器件的方法 [P].

山上朗 ;

关野聪 .

中国专利 :CN1316568C ,2004-05-26

[5]

半导体器件的制造方法 [P].

大桥拓夫 ;

诹访刚 ;

久保田大志 .

中国专利 :CN1684242A ,2005-10-19

[6]

半导体器件的制造方法 [P].

丰田善昭 ;

大江崇智 .

中国专利 :CN103548132B ,2014-01-29

[7]

蚀刻方法以及半导体器件的制造方法 [P].

森琢哉 ;

高桥正彦 .

中国专利 :CN101546709A ,2009-09-30

[8]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

舛冈富士雄 ;

中村广记 .

中国专利 :CN103262234A ,2013-08-21

[9]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

山下朋弘 .

中国专利 :CN107887392A ,2018-04-06

[10]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

浅野佑次 ;

加藤盛央 .

中国专利 :CN1925136A ,2007-03-07

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