半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510064979.X

申请日：

2005-04-13

公开(公告)号：

CN1684242A

公开(公告)日：

2005-10-19

发明(设计)人：

大桥拓夫诹访刚久保田大志

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2176

IPC分类号：

H01L21316 H01L21324

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

钟强;谷惠敏

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-02-25	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回
2005-10-19	公开	公开
2005-12-14	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

制造半导体器件的方法 [P].

权五成 ;

金辰泰 .

中国专利 :CN1144397A ,1997-03-05

[2]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

舛冈富士雄 ;

中村广记 .

中国专利 :CN103262234A ,2013-08-21

[3]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

袋武人 ;

冲原将生 .

中国专利 :CN1945843A ,2007-04-11

[4]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

甲斐徹哉 ;

笠井良夫 ;

角田弘昭 ;

萩原裕之 ;

小林英行 .

中国专利 :CN1330393A ,2002-01-09

[5]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

马诺耶·库马尔 ;

基里安·翁 .

:CN117650176A ,2024-03-05

[6]

半导体器件的制造方法 [P].

林重德 ;

山本和彦 .

中国专利 :CN1841675A ,2006-10-04

[7]

制造半导体器件的方法 [P].

朴成炯 ;

李凞德 .

中国专利 :CN1691291A ,2005-11-02

[8]

半导体器件的制造方法 [P].

桥本广司 ;

高田和彦 .

中国专利 :CN1518090A ,2004-08-04

[9]

半导体器件的制造方法 [P].

林重德 ;

山本和彦 .

中国专利 :CN100401478C ,2004-08-18

[10]

制造半导体器件的方法 [P].

山上朗 ;

关野聪 .

中国专利 :CN1316568C ,2004-05-26

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