半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410003372.6

申请日：

2004-01-29

公开(公告)号：

CN1518090A

公开(公告)日：

2004-08-04

发明(设计)人：

桥本广司高田和彦

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县川崎市

IPC主分类号：

H01L2176

IPC分类号：

H01L218234

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

李辉

法律状态：

专利权的视为放弃

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-02-27	专利权的视为放弃	专利权的视为放弃
2004-10-13	实质审查的生效	实质审查的生效
2004-08-04	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

鸣海俊一 .

中国专利 :CN108336089A ,2018-07-27

[2]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

佐藤英纪 ;

冈崎勉 .

中国专利 :CN1574298A ,2005-02-02

[3]

制造半导体器件的方法 [P].

佐藤嘉昭 ;

椀泽光伸 ;

松本明 ;

出口善宣 ;

齐藤健太郎 .

日本专利 :CN113314428B ,2025-12-09

[4]

制造半导体器件的方法 [P].

满生彰 .

中国专利 :CN105914211A ,2016-08-31

[5]

制造半导体器件的方法 [P].

川嶋祥之 ;

吉田省史 .

中国专利 :CN105489557A ,2016-04-13

[6]

制造半导体器件的方法 [P].

佐藤嘉昭 ;

椀泽光伸 ;

松本明 ;

出口善宣 ;

齐藤健太郎 .

中国专利 :CN113314428A ,2021-08-27

[7]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

塚本惠介 ;

三原龙善 .

中国专利 :CN103985673B ,2014-08-13

[8]

制造半导体器件的方法及半导体器件 [P].

卯尾崎宽 ;

武田康裕 ;

前川径一 ;

长谷川拓实 ;

舟山幸太 ;

丸山祥辉 ;

柴和利 ;

工藤修一 .

中国专利 :CN103824815A ,2014-05-28

[9]

制造半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

徐丞伯 ;

吴云骥 ;

黄仲仁 .

中国专利 :CN109216371B ,2019-01-15

[10]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

吴云骥 ;

曾郁雯 .

中国专利 :CN109103197A ,2018-12-28

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