半导体器件及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN200510099497.8
申请日
2005-09-06
公开(公告)号
CN1841681A
公开(公告)日
2006-10-04
发明(设计)人
南方浩志
申请人
申请人地址
日本神奈川县
IPC主分类号
H01L21336
IPC分类号
H01L21311 H01L2978
代理机构
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人
张龙哺;郑特强
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
渡部平司 ;
渡辺启仁 ;
辰巳徹 ;
藤芝信次 .
中国专利 :CN100565916C ,2005-09-14
[2]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
迫田恒久 ;
山口正臣 ;
南方浩志 ;
杉田义博 ;
池田和人 .
中国专利 :CN1841772A ,2006-10-04
[3]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
志波和佳 .
中国专利 :CN1943037A ,2007-04-04
[4]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
中西贤太郎 ;
柁谷敦宏 .
中国专利 :CN1627534A ,2005-06-15
[5]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
山下朋弘 ;
西田征男 ;
林岳 ;
山本芳树 ;
井上真雄 .
中国专利 :CN102612736A ,2012-07-25
[6]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
大见忠弘 ;
须川成利 ;
平山昌树 ;
白井泰雪 .
中国专利 :CN1592957A ,2005-03-09
[7]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
福井胜一 ;
森本升 ;
西冈康隆 ;
泉谷淳子 ;
石井敦司 .
中国专利 :CN101661900A ,2010-03-03
[8]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
大路洋 .
中国专利 :CN1906768A ,2007-01-31
[9]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
远藤清 ;
森山卓史 .
日本专利 :CN118053818A ,2024-05-17
[10]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
外园明 .
中国专利 :CN1819267A ,2006-08-16