半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01821537.8

申请日：

2001-12-27

公开(公告)号：

CN1592957A

公开(公告)日：

2005-03-09

发明(设计)人：

大见忠弘须川成利平山昌树白井泰雪

申请人：

申请人地址：

日本宫城县

IPC主分类号：

H01L21316

IPC分类号：

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

代理人：

陆锦华

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-11-28	授权	授权
2005-03-09	公开	公开
2005-05-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2016-02-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101647079027 IPC(主分类):H01L 21/316 专利号:ZL018215378 申请日:20011227 授权公告日:20071128 终止日期:20141227

共 50 条

[1]

电介质膜及其形成方法、半导体器件、非易失性半导体存储器件及半导体器件的制造方法 [P].

大见忠弘 ;

须川成利 ;

平山昌树 ;

白井泰雪 .

中国专利 :CN1484852A ,2004-03-24

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

宇佐美达矢 ;

大音光市 ;

竹胁利至 .

中国专利 :CN1832130A ,2006-09-13

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

南方浩志 .

中国专利 :CN1841681A ,2006-10-04

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

W·施尼特 ;

H·波尔曼 .

中国专利 :CN100437984C ,2005-08-24

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

大川成美 ;

片山雅也 .

中国专利 :CN1801491B ,2006-07-12

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

饭田健 .

中国专利 :CN101359689A ,2009-02-04

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

张正训 .

中国专利 :CN104143567A ,2014-11-12

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

宋化龙 .

中国专利 :CN103378148B ,2013-10-30

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

间部谦三 .

中国专利 :CN101517732A ,2009-08-26

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

海老原美香 .

中国专利 :CN1519953A ,2004-08-11

← 1 2 3 4 5 →