半导体器件及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200510073756.X
申请日
2005-05-24
公开(公告)号
CN1801491B
公开(公告)日
2006-07-12
发明(设计)人
大川成美 片山雅也
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L27088
IPC分类号
H01L2978 H01L218234 H01L21265
代理机构
隆天国际知识产权代理有限公司 72003
代理人
张龙哺;张浴月
法律状态
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
田村直义 .
中国专利 :CN101641792A ,2010-02-03
[2]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
间部谦三 .
中国专利 :CN101375403A ,2009-02-25
[3]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
西尾干夫 ;
赤松晋 ;
奥田宁 .
中国专利 :CN1112292A ,1995-11-22
[4]
制造半导体器件的方法 [P]. 
高哲柱 ;
李镕俊 .
中国专利 :CN101211844A ,2008-07-02
[5]
半导体器件和半导体器件的制造方法 [P]. 
森田祐介 ;
土屋龙太 ;
石垣隆士 ;
杉井信之 ;
木村绅一郎 .
中国专利 :CN101604691B ,2009-12-16
[6]
半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P]. 
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中国专利 :CN102456742A ,2012-05-16
[7]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
张哲诚 ;
林志翰 .
中国专利 :CN105845578A ,2016-08-10
[8]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
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海本博之 ;
半田崇登 .
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[9]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
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H·波尔曼 .
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[10]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
石桥雅义 ;
加藤美登里 .
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