制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710302252.X

申请日：

2007-12-24

公开(公告)号：

CN101211844A

公开(公告)日：

2008-07-02

发明(设计)人：

高哲柱李镕俊

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L218232

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

刘继富;蔡胜有

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-07-02	公开	公开
2008-08-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-09-22	授权	授权
2015-02-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101599304928 IPC(主分类):H01L 21/8232 专利号:ZL200710302252X 申请日:20071224 授权公告日:20100922 终止日期:20131224

共 50 条

[1]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

森田祐介 ;

土屋龙太 ;

石垣隆士 ;

杉井信之 ;

木村绅一郎 .

中国专利 :CN101604691B ,2009-12-16

[2]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

山口直 .

中国专利 :CN102456742A ,2012-05-16

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

大川成美 ;

片山雅也 .

中国专利 :CN1801491B ,2006-07-12

[4]

半导体器件和制造这种半导体器件的方法 [P].

金荣宽 ;

朴兴秀 ;

朴泳旭 ;

李相忍 ;

张允僖 ;

李钟镐 ;

崔城济 ;

李承桓 ;

林载顺 ;

李周远 .

中国专利 :CN1284747A ,2001-02-21

[5]

半导体器件的制造方法 [P].

深濑匡 ;

小室雅宏 .

中国专利 :CN1235374A ,1999-11-17

[6]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

金熙中 ;

吴容哲 ;

尹在万 ;

郑铉雨 ;

金铉琦 ;

金冈昱 .

中国专利 :CN101937915B ,2011-01-05

[7]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

吕俊颉 ;

让-皮埃尔·科林格 ;

后藤贤一 ;

吴志强 ;

林佑明 .

中国专利 :CN109103084B ,2018-12-28

[8]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

A.迈泽 ;

T.施勒泽 .

中国专利 :CN103855221A ,2014-06-11

[9]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

川口宏 .

中国专利 :CN101651141A ,2010-02-17

[10]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

韩在贤 .

韩国专利 :CN114068549B ,2025-09-02

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