半导体器件和制造这种半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN00108946.3

申请日：

2000-05-19

公开(公告)号：

CN1284747A

公开(公告)日：

2001-02-21

发明(设计)人：

金荣宽朴兴秀朴泳旭李相忍张允僖李钟镐崔城济李承桓林载顺李周远

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2704

IPC分类号：

H01L21283 H01L21314 H01L213205 H01L2182

代理机构：

柳沈知识产权律师事务所

代理人：

马莹

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-07-28	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2001-02-21	公开	公开
2002-07-17	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

森田祐介 ;

土屋龙太 ;

石垣隆士 ;

杉井信之 ;

木村绅一郎 .

中国专利 :CN101604691B ,2009-12-16

[2]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

韩在贤 .

韩国专利 :CN114068549B ,2025-09-02

[3]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

望月博 ;

奥和田久美 ;

金谷宏行 ;

日高修 .

中国专利 :CN1149659C ,1998-05-13

[4]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

伊藤哲也 .

中国专利 :CN101266975B ,2008-09-17

[5]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

韩在贤 .

中国专利 :CN114068549A ,2022-02-18

[6]

半导体器件和制造这种半导体器件的方法 [P].

阿内尔·塔杜兰 ;

里卡多·杨多克 ;

霍默·马尔维达 ;

安东尼奥·迪马诺 .

:CN117936490A ,2024-04-26

[7]

半导体器件、半导体器件的使用和包括这种半导体器件的器件 [P].

简·雄斯基 ;

安科·黑林格 .

中国专利 :CN101828253B ,2010-09-08

[8]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

金辰寿 ;

林昌文 .

中国专利 :CN101414581A ,2009-04-22

[9]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

涂火金 ;

三重野文健 ;

禹国宾 .

中国专利 :CN103165664A ,2013-06-19

[10]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

森日出树 .

中国专利 :CN101661935B ,2010-03-03

← 1 2 3 4 5 →