半导体器件和制造这种半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311380304.0

申请日：

2023-10-24

公开(公告)号：

CN117936490A

公开(公告)日：

2024-04-26

发明(设计)人：

阿内尔·塔杜兰里卡多·杨多克霍默·马尔维达安东尼奥·迪马诺

申请人：

安世有限公司

申请人地址：

荷兰奈梅亨

IPC主分类号：

H01L23/495

IPC分类号：

H01L21/48

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

顾欣;侯桂丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/495申请日:20231024
2024-04-26	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件和制造这种半导体器件的方法 [P].

金荣宽 ;

朴兴秀 ;

朴泳旭 ;

李相忍 ;

张允僖 ;

李钟镐 ;

崔城济 ;

李承桓 ;

林载顺 ;

李周远 .

中国专利 :CN1284747A ,2001-02-21

[2]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

内田正太郎 .

中国专利 :CN1157774C ,2002-04-17

[3]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

元田隆 ;

加藤学 .

中国专利 :CN1144396A ,1997-03-05

[4]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

里卡多·杨多克 ;

亚当·布朗 ;

唐庆圆 .

中国专利 :CN115692354A ,2023-02-03

[5]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

尾藤康则 .

中国专利 :CN102569296A ,2012-07-11

[6]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

安东尼·马修 ;

里卡多·杨多克 ;

马诺耶·巴拉克瑞南 ;

亚当·布朗 .

中国专利 :CN115692356A ,2023-02-03

[7]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

安达正树 ;

小川功 .

中国专利 :CN1179013A ,1998-04-15

[8]

半导体器件以及这种半导体器件的制造方法 [P].

张须坤 ;

朱春林 ;

严晓雯 ;

姜克 .

中国专利 :CN120021378A ,2025-05-20

[9]

半导体器件以及制造这种半导体器件的方法 [P].

伊藤吉博 ;

门田道雄 .

中国专利 :CN100376035C ,2005-08-24

[10]

半导体器件和这种器件的制造方法 [P].

简·雄斯基 ;

安科·黑林格 .

中国专利 :CN102187466A ,2011-09-14

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