半导体器件的制造方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01132997.1

申请日：

2001-09-13

公开(公告)号：

CN1157774C

公开(公告)日：

2002-04-17

发明(设计)人：

内田正太郎

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2160

IPC分类号：

H01L2158 H01L2348

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-02-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2004-07-14	授权	授权
2015-11-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101632286396 IPC(主分类):H01L 21/60 专利号:ZL011329971 申请日:20010913 授权公告日:20040714 终止日期:20140913
2002-04-17	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

福田恭平 ;

望月英司 ;

泽野光利 ;

须泽孝昭 .

中国专利 :CN102280470A ,2011-12-14

[2]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

高桥典之 .

中国专利 :CN102683223A ,2012-09-19

[3]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

初川聪 .

中国专利 :CN104350596B ,2015-02-11

[4]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

波多野正喜 ;

高冈裕二 .

中国专利 :CN1835229A ,2006-09-20

[5]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

山下央 .

中国专利 :CN102169866A ,2011-08-31

[6]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

大野荣治 ;

大杉英司 .

中国专利 :CN103295923A ,2013-09-11

[7]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

高桥典之 .

中国专利 :CN103295922A ,2013-09-11

[8]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

C.M.斯坎伦 ;

T.L.奥尔森 .

中国专利 :CN105144367B ,2015-12-09

[9]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

奥利弗·布兰克 ;

米歇尔·赫茨勒 ;

戴维·拉福雷 ;

拉尔夫·西埃米恩里克 .

中国专利 :CN103515227A ,2014-01-15

[10]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

団野忠敏 ;

波多俊幸 ;

町田勇一 .

中国专利 :CN103779340A ,2014-05-07

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