半导体器件制造方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210071952.3

申请日：

2012-03-15

公开(公告)号：

CN102683223A

公开(公告)日：

2012-09-19

发明(设计)人：

高桥典之

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2150

IPC分类号：

H01L2160 H01L2156 H01L2331 H01L23495

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

王茂华;郑菊

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-09	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101741208420 IPC(主分类):H01L 21/50 专利申请号:2012100719523 申请公布日:20120919
2014-04-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581484346 IPC(主分类):H01L 21/50 专利申请号:2012100719523 申请日:20120315
2012-09-19	公开	公开
2015-10-28	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101722756720 IPC(主分类):H01L 21/50 专利申请号:2012100719523 变更事项:申请人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京都

共 50 条

[1]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

団野忠敏 ;

波多俊幸 ;

町田勇一 .

中国专利 :CN103779340A ,2014-05-07

[2]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

福田恭平 ;

望月英司 ;

泽野光利 ;

须泽孝昭 .

中国专利 :CN102280470A ,2011-12-14

[3]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

初川聪 .

中国专利 :CN104350596B ,2015-02-11

[4]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

松桥润 ;

槙平尚宏 ;

岩崎秀和 ;

石井稔二 .

中国专利 :CN107919294B ,2018-04-17

[5]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

木村雅俊 .

中国专利 :CN105390445A ,2016-03-09

[6]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

内田正太郎 .

中国专利 :CN1157774C ,2002-04-17

[7]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

森茂 .

中国专利 :CN101924111B ,2010-12-22

[8]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

波多野正喜 ;

高冈裕二 .

中国专利 :CN1835229A ,2006-09-20

[9]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

山下央 .

中国专利 :CN102169866A ,2011-08-31

[10]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

大野荣治 ;

大杉英司 .

中国专利 :CN103295923A ,2013-09-11

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