半导体器件和制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010238538.8

申请日：

2007-03-30

公开(公告)号：

CN101924111B

公开(公告)日：

2010-12-22

发明(设计)人：

森茂

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L21762 H01L29786 H01L21336

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

宋鹤;南霆

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-12-22	公开	公开
2013-03-06	授权	授权
2011-02-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101035898785 IPC(主分类):H01L 27/12 专利申请号:2010102385388 申请日:20070330

共 50 条

[1]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

森茂 .

中国专利 :CN101068030A ,2007-11-07

[2]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

森田祐介 ;

土屋龙太 ;

石垣隆士 ;

杉井信之 ;

木村绅一郎 .

中国专利 :CN101604691B ,2009-12-16

[3]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

铃村功 ;

神内纪秀 ;

渡壁创 ;

花田明纮 ;

小野寺凉 .

中国专利 :CN111554692A ,2020-08-18

[4]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

金子贵昭 ;

井上尚也 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN103165605A ,2013-06-19

[5]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

韩啸 .

中国专利 :CN111490099B ,2020-08-04

[6]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

野濑幸则 .

日本专利 :CN110600378B ,2024-01-19

[7]

用于制造半导体器件的方法及半导体器件 [P].

佐佐木俊成 ;

坂田淳一郎 ;

大原宏树 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN111081550A ,2020-04-28

[8]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

野濑幸则 .

中国专利 :CN110600378A ,2019-12-20

[9]

半导体膜、半导体器件和用于制造半导体膜、半导体器件的方法 [P].

高山彻 ;

秋元健吾 .

中国专利 :CN100397556C ,2003-01-08

[10]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

堰和彦 .

日本专利 :CN117894849A ,2024-04-16

← 1 2 3 4 5 →