半导体器件和制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110049750.4

申请日：

2011-02-25

公开(公告)号：

CN102169866A

公开(公告)日：

2011-08-31

发明(设计)人：

山下央

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L23495

IPC分类号：

H01L2160

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

孙志湧;穆德骏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-08-31	公开	公开
2020-02-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/495 申请日:20110225 授权公告日:20150429 终止日期:20190225
2013-01-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101376318315 IPC(主分类):H01L 23/495 专利申请号:2011100497504 申请日:20110225
2015-04-29	授权	授权
2017-12-22	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 23/495 变更事项:专利权人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京

共 50 条

[1]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

宇野哲史 ;

土屋秀昭 ;

横川慎二 .

中国专利 :CN103295990B ,2013-09-11

[2]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

鱼屋皇作 .

中国专利 :CN101414584A ,2009-04-22

[3]

半导体器件、层叠式半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

矢野祐司 ;

石原诚治 .

中国专利 :CN1877824A ,2006-12-13

[4]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

福田恭平 ;

望月英司 ;

泽野光利 ;

须泽孝昭 .

中国专利 :CN102280470A ,2011-12-14

[5]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

高桥典之 .

中国专利 :CN102683223A ,2012-09-19

[6]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

初川聪 .

中国专利 :CN104350596B ,2015-02-11

[7]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

石野宽 ;

三瓶宏和 .

中国专利 :CN114121862A ,2022-03-01

[8]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

内田正太郎 .

中国专利 :CN1157774C ,2002-04-17

[9]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

波多野正喜 ;

高冈裕二 .

中国专利 :CN1835229A ,2006-09-20

[10]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

大野荣治 ;

大杉英司 .

中国专利 :CN103295923A ,2013-09-11

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