半导体器件和制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310062538.0

申请日：

2013-02-28

公开(公告)号：

CN103295990B

公开(公告)日：

2013-09-11

发明(设计)人：

宇野哲史土屋秀昭横川慎二

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L23488

IPC分类号：

H01L2160

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

杨国权

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-04-26	授权	授权
2015-10-28	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101722197077 IPC(主分类):H01L 23/488 专利申请号:2013100625380 变更事项:申请人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川变更后:日本东京
2013-09-11	公开	公开
2014-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101579534919 IPC(主分类):H01L 23/488 专利申请号:2013100625380 申请日:20130228

共 50 条

[1]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

山下央 .

中国专利 :CN102169866A ,2011-08-31

[2]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

鱼屋皇作 .

中国专利 :CN101414584A ,2009-04-22

[3]

半导体器件、层叠式半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

矢野祐司 ;

石原诚治 .

中国专利 :CN1877824A ,2006-12-13

[4]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

福田恭平 ;

望月英司 ;

泽野光利 ;

须泽孝昭 .

中国专利 :CN102280470A ,2011-12-14

[5]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

高桥典之 .

中国专利 :CN102683223A ,2012-09-19

[6]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

初川聪 .

中国专利 :CN104350596B ,2015-02-11

[7]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

内田正太郎 .

中国专利 :CN1157774C ,2002-04-17

[8]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

波多野正喜 ;

高冈裕二 .

中国专利 :CN1835229A ,2006-09-20

[9]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

大野荣治 ;

大杉英司 .

中国专利 :CN103295923A ,2013-09-11

[10]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

高桥典之 .

中国专利 :CN103295922A ,2013-09-11

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