半导体器件和这种器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980141586.0

申请日：

2009-10-06

公开(公告)号：

CN102187466A

公开(公告)日：

2011-09-14

发明(设计)人：

简·雄斯基安科·黑林格

申请人：

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L29423

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

王波波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-09-14	公开	公开
2013-09-04	授权	授权
2011-11-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101127311752 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2009801415860 申请日:20091006

共 50 条

[1]

半导体器件和制造这种器件的方法 [P].

维布·D.·范诺尔特 ;

彼德鲁斯·H.·C.·马格内 ;

利斯·K.·南维尔 ;

塞利内·J.·德切维尔里 ;

拉蒙·J.·黑文斯 .

中国专利 :CN1947250B ,2007-04-11

[2]

半导体器件和这种器件的制造方法 [P].

韦伯·D.·范诺尔特 .

中国专利 :CN100499158C ,2007-04-11

[3]

半导体器件和制造这种半导体器件的方法 [P].

金荣宽 ;

朴兴秀 ;

朴泳旭 ;

李相忍 ;

张允僖 ;

李钟镐 ;

崔城济 ;

李承桓 ;

林载顺 ;

李周远 .

中国专利 :CN1284747A ,2001-02-21

[4]

半导体器件和制造这种半导体器件的方法 [P].

阿内尔·塔杜兰 ;

里卡多·杨多克 ;

霍默·马尔维达 ;

安东尼奥·迪马诺 .

:CN117936490A ,2024-04-26

[5]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

单利军 ;

康赐俊 ;

刘宇 ;

邱泰玮 ;

王丹云 ;

沈鼎瀛 .

中国专利 :CN112018234A ,2020-12-01

[6]

半导体器件的制造方法和利用这种方法获得的半导体器件 [P].

V·恩古延霍安格 ;

D·J·格拉维斯泰恩 ;

R·J·O·M·霍夫曼 .

中国专利 :CN1729563A ,2006-02-01

[7]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

姜埈求 ;

姜相列 ;

金润洙 ;

李珍秀 ;

丁炯硕 ;

曹圭镐 .

中国专利 :CN110504219A ,2019-11-26

[8]

用于制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

M.珀尔兹尔 .

中国专利 :CN105609413B ,2016-05-25

[9]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102779849A ,2012-11-14

[10]

双极穿通半导体器件和制造这种半导体器件的方法 [P].

M·拉希莫 ;

A·科普塔 ;

T·克劳森 ;

M·安登纳 .

中国专利 :CN103597602A ,2014-02-19

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