半导体器件和制造这种器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580013152.4

申请日：

2005-04-20

公开(公告)号：

CN1947250B

公开(公告)日：

2007-04-11

发明(设计)人：

维布·D.·范诺尔特彼德鲁斯·H.·C.·马格内利斯·K.·南维尔塞利内·J.·德切维尔里拉蒙·J.·黑文斯

申请人：

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

IPC主分类号：

H01L2708

IPC分类号：

H01L2706

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

王波波

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-26	授权	授权
2008-06-11	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更事项:申请人变更前权利人:皇家飞利浦电子股份有限公司变更后权利人:NXP股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:荷兰艾恩德霍芬变更后权利人:荷兰艾恩德霍芬登记生效日:20080509
2007-06-13	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-04-11	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件和这种器件的制造方法 [P].

韦伯·D.·范诺尔特 .

中国专利 :CN100499158C ,2007-04-11

[2]

半导体器件和这种器件的制造方法 [P].

简·雄斯基 ;

安科·黑林格 .

中国专利 :CN102187466A ,2011-09-14

[3]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

单利军 ;

康赐俊 ;

刘宇 ;

邱泰玮 ;

王丹云 ;

沈鼎瀛 .

中国专利 :CN112018234A ,2020-12-01

[4]

半导体器件的制造方法和利用这种方法获得的半导体器件 [P].

V·恩古延霍安格 ;

D·J·格拉维斯泰恩 ;

R·J·O·M·霍夫曼 .

中国专利 :CN1729563A ,2006-02-01

[5]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

加藤信之 .

中国专利 :CN113675167A ,2021-11-19

[6]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

真利子岳比郎 ;

冈本康宏 ;

长濑仙一郎 .

中国专利 :CN115642172A ,2023-01-24

[7]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

加藤信之 .

日本专利 :CN120897498A ,2025-11-04

[8]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

加藤信之 .

日本专利 :CN113675167B ,2025-08-01

[9]

双极穿通半导体器件和制造这种半导体器件的方法 [P].

M·拉希莫 ;

A·科普塔 ;

U·施拉普巴赫 .

中国专利 :CN102318071B ,2012-01-11

[10]

半导体器件和制造这种半导体器件的方法 [P].

金荣宽 ;

朴兴秀 ;

朴泳旭 ;

李相忍 ;

张允僖 ;

李钟镐 ;

崔城济 ;

李承桓 ;

林载顺 ;

李周远 .

中国专利 :CN1284747A ,2001-02-21

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