半导体器件和制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511048295.4

申请日：

2021-05-13

公开(公告)号：

CN120897498A

公开(公告)日：

2025-11-04

发明(设计)人：

加藤信之

申请人：

株式会社电装

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

H10D84/80

IPC分类号：

H01L23/485 H01L23/31 H10D84/01

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

王琼先

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-04	公开	公开
2025-11-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/80申请日:20210513

共 50 条

[1]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

加藤信之 .

中国专利 :CN113675167A ,2021-11-19

[2]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

加藤信之 .

日本专利 :CN113675167B ,2025-08-01

[3]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

真利子岳比郎 ;

冈本康宏 ;

长濑仙一郎 .

中国专利 :CN115642172A ,2023-01-24

[4]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

大隅贵寿 .

中国专利 :CN1945821A ,2007-04-11

[5]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

小川裕之 ;

有吉润一 .

中国专利 :CN104637796A ,2015-05-20

[6]

半导体衬底、半导体器件制造方法和半导体器件测试方法 [P].

藤井滋 ;

有坂义一 ;

居鹤仁 ;

田代一宏 ;

丸山茂幸 .

中国专利 :CN1773679A ,2006-05-17

[7]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

陈永凯 .

美国专利 :CN117410829A ,2024-01-16

[8]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

福井自由 ;

高桥贵树 ;

出口香奈子 ;

那须贤太郎 .

中国专利 :CN113424311A ,2021-09-21

[9]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

天羽生淳 .

日本专利 :CN110246845B ,2024-06-21

[10]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

新山浩司 .

日本专利 :CN120711753A ,2025-09-26

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