半导体器件和制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810086170.0

申请日：

2008-03-17

公开(公告)号：

CN101266975B

公开(公告)日：

2008-09-17

发明(设计)人：

伊藤哲也

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县横浜市

IPC主分类号：

H01L2706

IPC分类号：

H01L27105 H01L27112 H01L21822 H01L218239 H01L218246

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

张龙哺;冯志云

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-09-17	公开	公开
2011-04-06	授权	授权
2008-11-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2020-08-21	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/06 登记生效日:20200731 变更事项:专利权人变更前权利人:富士通半导体股份有限公司变更后权利人:富士通半导体股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本神奈川县横浜市变更后权利人:日本神奈川县
2008-12-03	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更事项:申请人变更前权利人:富士通株式会社变更后权利人:富士通微电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本神奈川县川崎市变更后权利人:日本东京都登记生效日:20081107

共 50 条

[1]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

朴瑛琳 ;

安世衡 ;

姜相列 ;

安敞茂 ;

郑圭镐 .

中国专利 :CN112103290A ,2020-12-18

[2]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

朴瑛琳 ;

安世衡 ;

姜相列 ;

安敞茂 ;

郑圭镐 .

韩国专利 :CN112103290B ,2025-12-23

[3]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

朴瑛琳 ;

安世衡 ;

姜相列 ;

安敞茂 ;

郑圭镐 .

韩国专利 :CN120076323A ,2025-05-30

[4]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

肱冈健一郎 ;

久米一平 ;

井上尚也 ;

白井浩树 ;

川原润 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN102254916B ,2011-11-23

[5]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

井胁孝之 ;

伊藤孝政 ;

清水香奈 .

中国专利 :CN102280473A ,2011-12-14

[6]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

望月博 ;

奥和田久美 ;

金谷宏行 ;

日高修 .

中国专利 :CN1149659C ,1998-05-13

[7]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

冈崎勉 ;

冈田大介 ;

池田良广 ;

塚本惠介 ;

福村达也 ;

宿利章二 ;

原田惠一 ;

岸浩二 .

中国专利 :CN1622311A ,2005-06-01

[8]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

山本阳一 ;

服卷直美 ;

坂本美里 ;

加藤芳健 .

中国专利 :CN102148228A ,2011-08-10

[9]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

姜埈求 ;

姜相列 ;

金润洙 ;

李珍秀 ;

丁炯硕 ;

曹圭镐 .

中国专利 :CN110504219A ,2019-11-26

[10]

半导体器件和制造这种半导体器件的方法 [P].

金荣宽 ;

朴兴秀 ;

朴泳旭 ;

李相忍 ;

张允僖 ;

李钟镐 ;

崔城济 ;

李承桓 ;

林载顺 ;

李周远 .

中国专利 :CN1284747A ,2001-02-21

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