半导体器件以及半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110021014.8

申请日：

2011-01-13

公开(公告)号：

CN102148228A

公开(公告)日：

2011-08-10

发明(设计)人：

山本阳一服卷直美坂本美里加藤芳健

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2704

IPC分类号：

H01L2710 H01L27108 H01L218242 H01L21316 H01L21822

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

孙志湧;穆德骏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-04-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101219923198 IPC(主分类):H01L 27/04 专利申请号:2011100210148 申请日:20110113
2011-08-10	公开	公开
2016-04-06	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101730412253 IPC(主分类):H01L 27/04 专利申请号:2011100210148 申请公布日:20110810

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

冈崎勉 ;

冈田大介 ;

池田良广 ;

塚本惠介 ;

福村达也 ;

宿利章二 ;

原田惠一 ;

岸浩二 .

中国专利 :CN1622311A ,2005-06-01

[2]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

伊藤哲也 .

中国专利 :CN101266975B ,2008-09-17

[3]

半导体器件以及半导体器件制造方法 [P].

千野根崇子 ;

梁吉镐 ;

柴田康之 ;

东野二郎 .

中国专利 :CN101764185B ,2010-06-30

[4]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

具润谟 ;

李炯东 .

韩国专利 :CN118785720A ,2024-10-15

[5]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

杜子明 ;

杜卫星 ;

游政昇 .

中国专利 :CN117393596A ,2024-01-12

[6]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

郝荣晖 ;

陈扶 ;

何川 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN113130643B ,2021-07-16

[7]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

郝荣晖 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN113875019A ,2021-12-31

[8]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

郝荣晖 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN113875019B ,2024-07-02

[9]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

安内特·文策尔 ;

拉尔斯·穆勒-梅什坎普 ;

汤姆·彼得亨泽尔 ;

法比安·盖森霍夫 ;

托尔斯滕·赫尔姆 ;

迪尔克·曼格尔 .

:CN118866961A ,2024-10-29

[10]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

郝荣晖 ;

陈扶 ;

何川 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN113130644A ,2021-07-16

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