半导体器件和半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110522291.0

申请日：

2021-05-13

公开(公告)号：

CN114068549A

公开(公告)日：

2022-02-18

发明(设计)人：

韩在贤

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L218242

代理机构：

北京弘权知识产权代理有限公司 11363

代理人：

许伟群;郭放

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20210513
2022-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

韩在贤 .

韩国专利 :CN114068549B ,2025-09-02

[2]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

望月博 ;

奥和田久美 ;

金谷宏行 ;

日高修 .

中国专利 :CN1149659C ,1998-05-13

[3]

半导体器件和制造这种半导体器件的方法 [P].

金荣宽 ;

朴兴秀 ;

朴泳旭 ;

李相忍 ;

张允僖 ;

李钟镐 ;

崔城济 ;

李承桓 ;

林载顺 ;

李周远 .

中国专利 :CN1284747A ,2001-02-21

[4]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

森日出树 .

中国专利 :CN101661935B ,2010-03-03

[5]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

新居浩二 ;

五十岚元繁 .

中国专利 :CN102194757A ,2011-09-21

[6]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

朱龙琨 ;

黄懋霖 ;

徐崇威 ;

余佳霓 ;

江国诚 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113314523A ,2021-08-27

[7]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

G·普雷切尔 ;

O·哈伯伦 .

:CN117438454A ,2024-01-23

[8]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

安藤裕二 .

中国专利 :CN104465745A ,2015-03-25

[9]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

森茂 .

中国专利 :CN101924111B ,2010-12-22

[10]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

林士豪 ;

杨智铨 ;

苏信文 ;

林建隆 ;

林建智 .

中国专利 :CN113314536A ,2021-08-27

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