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半导体器件和制造半导体器件的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202310904834.4
申请日
:
2023-07-21
公开(公告)号
:
CN117438454A
公开(公告)日
:
2024-01-23
发明(设计)人
:
G·普雷切尔
O·哈伯伦
申请人
:
英飞凌科技奥地利有限公司
申请人地址
:
奥地利菲拉赫西门子大街2号
IPC主分类号
:
H01L29/778
IPC分类号
:
H01L21/335
H01L29/417
代理机构
:
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
:
黄涛;陈晓
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-06-17
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/778申请日:20230721
2024-01-23
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体器件和用于制造半导体器件的方法
[P].
A.比尔纳
论文数:
0
引用数:
0
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0
A.比尔纳
;
H.布雷希
论文数:
0
引用数:
0
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0
H.布雷希
.
中国专利
:CN108155234A
,2018-06-12
[2]
半导体器件和用于制造半导体器件的方法
[P].
A.比尔纳
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
英飞凌科技股份有限公司
英飞凌科技股份有限公司
A.比尔纳
;
H.布雷希
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
英飞凌科技股份有限公司
英飞凌科技股份有限公司
H.布雷希
.
德国专利
:CN113903793B
,2025-10-31
[3]
半导体器件和用于制造半导体器件的方法
[P].
A.比尔纳
论文数:
0
引用数:
0
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0
A.比尔纳
;
H.布雷希
论文数:
0
引用数:
0
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0
H.布雷希
.
中国专利
:CN113903793A
,2022-01-07
[4]
半导体器件和制造半导体器件的方法
[P].
団野忠敏
论文数:
0
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0
団野忠敏
;
波多俊幸
论文数:
0
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波多俊幸
;
町田勇一
论文数:
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町田勇一
.
中国专利
:CN103779340A
,2014-05-07
[5]
半导体器件和半导体器件制造方法
[P].
森日出树
论文数:
0
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0
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0
森日出树
.
中国专利
:CN101661935B
,2010-03-03
[6]
半导体器件制造方法和半导体器件
[P].
木村雅俊
论文数:
0
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0
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0
木村雅俊
.
中国专利
:CN105390445A
,2016-03-09
[7]
半导体器件的制造方法和半导体器件
[P].
新居浩二
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新居浩二
;
五十岚元繁
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五十岚元繁
.
中国专利
:CN102194757A
,2011-09-21
[8]
半导体器件和制造半导体器件的方法
[P].
朱龙琨
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朱龙琨
;
黄懋霖
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黄懋霖
;
徐崇威
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徐崇威
;
余佳霓
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余佳霓
;
江国诚
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江国诚
;
王志豪
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0
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王志豪
.
中国专利
:CN113314523A
,2021-08-27
[9]
制造半导体器件的方法和半导体器件
[P].
安藤裕二
论文数:
0
引用数:
0
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0
安藤裕二
.
中国专利
:CN104465745A
,2015-03-25
[10]
半导体器件和制造半导体器件的方法
[P].
森茂
论文数:
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0
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0
森茂
.
中国专利
:CN101924111B
,2010-12-22
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