半导体器件和制造半导体器件的方法

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专利类型
发明
申请号
CN202310904834.4
申请日
2023-07-21
公开(公告)号
CN117438454A
公开(公告)日
2024-01-23
发明(设计)人
G·普雷切尔 O·哈伯伦
申请人
英飞凌科技奥地利有限公司
申请人地址
奥地利菲拉赫西门子大街2号
IPC主分类号
H01L29/778
IPC分类号
H01L21/335 H01L29/417
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
黄涛;陈晓
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P]. 
A.比尔纳 ;
H.布雷希 .
中国专利 :CN108155234A ,2018-06-12
[2]
半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P]. 
A.比尔纳 ;
H.布雷希 .
德国专利 :CN113903793B ,2025-10-31
[3]
半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P]. 
A.比尔纳 ;
H.布雷希 .
中国专利 :CN113903793A ,2022-01-07
[4]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
団野忠敏 ;
波多俊幸 ;
町田勇一 .
中国专利 :CN103779340A ,2014-05-07
[5]
半导体器件和半导体器件制造方法 [P]. 
森日出树 .
中国专利 :CN101661935B ,2010-03-03
[6]
半导体器件制造方法和半导体器件 [P]. 
木村雅俊 .
中国专利 :CN105390445A ,2016-03-09
[7]
半导体器件的制造方法和半导体器件 [P]. 
新居浩二 ;
五十岚元繁 .
中国专利 :CN102194757A ,2011-09-21
[8]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
朱龙琨 ;
黄懋霖 ;
徐崇威 ;
余佳霓 ;
江国诚 ;
王志豪 .
中国专利 :CN113314523A ,2021-08-27
[9]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
安藤裕二 .
中国专利 :CN104465745A ,2015-03-25
[10]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
森茂 .
中国专利 :CN101924111B ,2010-12-22