半导体器件及半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010229306.6

申请日：

2010-03-26

公开(公告)号：

CN101937915B

公开(公告)日：

2011-01-05

发明(设计)人：

金熙中吴容哲尹在万郑铉雨金铉琦金冈昱

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2702

IPC分类号：

H01L2992 H01L2177

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

张波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-01-05	公开	公开
2012-03-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101211709796 IPC(主分类):H01L 27/02 专利申请号:2010102293066 申请日:20100326
2015-07-29	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

松浦修武 .

中国专利 :CN104425488A ,2015-03-18

[2]

半导体器件制造方法及半导体器件 [P].

高旭 ;

郑世远 ;

徐萍 .

中国专利 :CN109872969A ,2019-06-11

[3]

半导体器件及半导体器件制造方法 [P].

菊池善明 ;

若林整 .

中国专利 :CN101997032B ,2011-03-30

[4]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

韩在贤 .

韩国专利 :CN114068549B ,2025-09-02

[5]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

望月博 ;

奥和田久美 ;

金谷宏行 ;

日高修 .

中国专利 :CN1149659C ,1998-05-13

[6]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

韩在贤 .

中国专利 :CN114068549A ,2022-02-18

[7]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

夏目秀隆 ;

石田浩 ;

田矢真敏 .

中国专利 :CN115425087A ,2022-12-02

[8]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

冈本真一 ;

冈崎勉 .

中国专利 :CN108010911A ,2018-05-08

[9]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

舛冈富士雄 ;

中村广记 .

中国专利 :CN103314443A ,2013-09-18

[10]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

冈崎勉 ;

冈田大介 ;

池田良广 ;

塚本惠介 ;

福村达也 ;

宿利章二 ;

原田惠一 ;

岸浩二 .

中国专利 :CN1622311A ,2005-06-01

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