半导体器件及制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410428998.5

申请日：

2014-08-27

公开(公告)号：

CN104425488A

公开(公告)日：

2015-03-18

发明(设计)人：

松浦修武

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县横滨市

IPC主分类号：

H01L2704

IPC分类号：

H01L2710 H01L2177

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

金鹏;张浴月

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/04 申请日:20140827 授权公告日:20180130 终止日期:20200827
2018-01-30	授权	授权
2015-03-18	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

冈崎勉 ;

冈田大介 ;

池田良广 ;

塚本惠介 ;

福村达也 ;

宿利章二 ;

原田惠一 ;

岸浩二 .

中国专利 :CN1622311A ,2005-06-01

[2]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

望月博 ;

奥和田久美 ;

金谷宏行 ;

日高修 .

中国专利 :CN1149659C ,1998-05-13

[3]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

冈本真一 ;

冈崎勉 .

中国专利 :CN108010911A ,2018-05-08

[4]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

江间泰示 ;

藤田和司 .

中国专利 :CN102446768A ,2012-05-09

[5]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

外园明 .

中国专利 :CN100418224C ,2006-03-29

[6]

半导体结构及制造半导体器件的方法 [P].

理查德·K·威廉斯 ;

迈克尔·E·康奈尔 ;

陈伟田 .

中国专利 :CN101355084B ,2009-01-28

[7]

半导体器件、半导体器件设备及半导体器件的制造方法 [P].

重岁卓志 .

日本专利 :CN118120055A ,2024-05-31

[8]

半导体器件制造方法及半导体器件 [P].

尤瑞·V·诺乌里夫 ;

约西尼·J·G·P·卢 .

中国专利 :CN101095237A ,2007-12-26

[9]

半导体器件及半导体器件制造方法 [P].

冈本九弘 ;

生云雅光 ;

渡边英二 .

中国专利 :CN1841689A ,2006-10-04

[10]

半导体器件及半导体器件制造方法 [P].

菊池善明 ;

若林整 .

中国专利 :CN101997032B ,2011-03-30

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