半导体器件制造方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580045283.0

申请日：

2005-12-19

公开(公告)号：

CN101095237A

公开(公告)日：

2007-12-26

发明(设计)人：

尤瑞·V·诺乌里夫约西尼·J·G·P·卢

申请人：

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

朱进桂

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-11-04	授权	授权
2008-04-30	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更事项:申请人变更前权利人:皇家飞利浦电子股份有限公司变更后权利人:NXP股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:荷兰艾恩德霍芬变更后权利人:荷兰艾恩德霍芬登记生效日:20080404
2008-02-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-12-26	公开	公开
2014-02-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101570138108 IPC(主分类):H01L 29/786 专利号:ZL2005800452830 申请日:20051219 授权公告日:20091104 终止日期:20121219

共 50 条

[1]

半导体器件及制造该半导体器件的方法 [P].

杨世怜 ;

李全一 ;

李蕙兰 ;

崔贤默 .

韩国专利 :CN118843319A ,2024-10-25

[2]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

加藤芳健 .

中国专利 :CN106663634B ,2017-05-10

[3]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

冈崎勉 ;

冈田大介 ;

池田良广 ;

塚本惠介 ;

福村达也 ;

宿利章二 ;

原田惠一 ;

岸浩二 .

中国专利 :CN1622311A ,2005-06-01

[4]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

多木俊裕 ;

西森理人 ;

今田忠纮 .

中国专利 :CN103201841A ,2013-07-10

[5]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN103779219A ,2014-05-07

[6]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

马克·范·达尔 ;

戈本·多恩伯斯 .

中国专利 :CN109524464B ,2019-03-26

[7]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

饭塚敏洋 ;

小山晋 ;

加藤芳健 .

中国专利 :CN106233437A ,2016-12-14

[8]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

外园明 .

中国专利 :CN100418224C ,2006-03-29

[9]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

松浦修武 .

中国专利 :CN104425488A ,2015-03-18

[10]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

尾崎史朗 .

中国专利 :CN103311290A ,2013-09-18

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