半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN95101849.3

申请日：

1995-02-25

公开(公告)号：

CN1112292A

公开(公告)日：

1995-11-22

发明(设计)人：

西尾干夫赤松晋奥田宁

申请人：

申请人地址：

日本大阪

IPC主分类号：

H01L2980

IPC分类号：

H01L2978 H01L21335

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王以平

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1995-11-22	公开	公开
1997-12-31	专利申请的视为撤回	专利申请的视为撤回

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

岛昌司 .

中国专利 :CN101523609A ,2009-09-02

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

长滨嘉彦 .

中国专利 :CN100573873C ,2006-12-20

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

外园明 .

中国专利 :CN1210811C ,2002-08-07

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

中岛贵志 .

中国专利 :CN1574353A ,2005-02-02

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

田村直义 .

中国专利 :CN101641792A ,2010-02-03

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

石井和敏 ;

五岛澄隆 ;

母家靖弘 ;

橘田达也 ;

金久保圭秀 .

中国专利 :CN1241034A ,2000-01-12

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

木村幸治 ;

中岛雄一 ;

川本浩 .

中国专利 :CN1120738A ,1996-04-17

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

间部谦三 .

中国专利 :CN101375403A ,2009-02-25

[9]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

森田祐介 ;

土屋龙太 ;

石垣隆士 ;

杉井信之 ;

木村绅一郎 .

中国专利 :CN101604691B ,2009-12-16

[10]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

山口直 .

中国专利 :CN102456742A ,2012-05-16

← 1 2 3 4 5 →