半导体器件及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN200610092687.1
申请日
2006-06-13
公开(公告)号
CN100573873C
公开(公告)日
2006-12-20
发明(设计)人
长滨嘉彦
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L27092
IPC分类号
H01L218238
代理机构
北京市柳沈律师事务所
代理人
陶凤波;侯 宇
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
岛昌司 .
中国专利 :CN101523609A ,2009-09-02
[2]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
石井和敏 ;
五岛澄隆 ;
母家靖弘 ;
橘田达也 ;
金久保圭秀 .
中国专利 :CN1241034A ,2000-01-12
[3]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
西尾干夫 ;
赤松晋 ;
奥田宁 .
中国专利 :CN1112292A ,1995-11-22
[4]
半导体器件的制造方法和半导体器件 [P]. 
小森重树 .
中国专利 :CN1893002A ,2007-01-10
[5]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
石桥雅义 ;
加藤美登里 .
中国专利 :CN101465355A ,2009-06-24
[6]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
松尾浩司 .
中国专利 :CN1190851C ,2002-05-01
[7]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
入泽寿史 ;
沼田敏典 ;
高木信一 ;
杉山直治 .
中国专利 :CN100517759C ,2007-08-22
[8]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
吉野英生 ;
长谷川尚 .
中国专利 :CN101017851A ,2007-08-15
[9]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
末代知子 ;
服部秀隆 ;
中川明夫 .
中国专利 :CN1347158A ,2002-05-01
[10]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
奥村喜纪 ;
上野修一 ;
古田阳雄 .
中国专利 :CN1251316C ,2004-06-02