半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03817066.3

申请日：

2003-07-16

公开(公告)号：

CN100565916C

公开(公告)日：

2005-09-14

发明(设计)人：

渡部平司渡辺启仁辰巳徹藤芝信次

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L21316

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

穆德骏;黄启行

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-11-16	实质审查的生效	实质审查的生效
2017-12-26	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 29/78 变更事项:专利权人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川变更后:日本东京
2009-12-02	授权	授权
2020-07-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20030716 授权公告日:20091202 终止日期:20190716
2010-09-15	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101007656422 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL038170663 变更事项:专利权人变更前权利人:日本电气株式会社变更后权利人:恩益禧电子股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:日本神奈川登记生效日:20100805
2011-09-28	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101187911801 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL038170663 变更事项:专利权人变更前:恩益禧电子股份有限公司变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川变更后:日本神奈川
2005-09-14	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

杉祥夫 ;

永冈达司 ;

鲁鸿飞 .

中国专利 :CN101236991B ,2008-08-06

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

松本雅弘 ;

藤泽雅彦 ;

大崎明彦 ;

石井敦司 .

中国专利 :CN102379036A ,2012-03-14

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

南方浩志 .

中国专利 :CN1841681A ,2006-10-04

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

迫田恒久 ;

山口正臣 ;

南方浩志 ;

杉田义博 ;

池田和人 .

中国专利 :CN1841772A ,2006-10-04

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

辻川真平 ;

峰利之 ;

由上二郎 ;

橫山夏樹 ;

山内豪 .

中国专利 :CN100375269C ,2004-01-14

[6]

半导体薄膜，半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

宫永昭治 ;

福永健司 .

中国专利 :CN1169026A ,1997-12-31

[7]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

荣森贵尚 ;

三濑信行 .

中国专利 :CN101651120B ,2010-02-17

[8]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

阿部真一郎 .

中国专利 :CN108735759A ,2018-11-02

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

山下朋弘 ;

西田征男 ;

林岳 ;

山本芳树 ;

井上真雄 .

中国专利 :CN102612736A ,2012-07-25

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

八重樫利武 ;

盐泽顺一 .

中国专利 :CN100448010C ,2006-08-16

← 1 2 3 4 5 →