氮化硅膜的成膜方法、成膜装置以及存储介质

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810507177.9

申请日：

2018-05-24

公开(公告)号：

CN108930026B

公开(公告)日：

2018-12-04

发明(设计)人：

户根川大和

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C23C1634

IPC分类号：

C23C16455

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/34 申请日:20180524
2018-12-04	公开	公开
2021-07-09	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化硅膜的成膜方法、成膜装置及氮化硅膜 [P].

安藤优汰 ;

猪狩晃 ;

森本直树 .

日本专利 :CN116802336B ,2025-11-21

[2]

氮化硅膜的成膜方法和成膜装置 [P].

渡边幸夫 ;

高藤哲也 ;

内田博章 ;

佐藤吉宏 .

中国专利 :CN114517289A ,2022-05-20

[3]

氮化硅膜的成膜方法及成膜装置 [P].

加藤寿 .

中国专利 :CN110777357A ,2020-02-11

[4]

氮化硅膜的成膜方法和成膜装置 [P].

渡边幸夫 ;

高藤哲也 ;

内田博章 ;

佐藤吉宏 .

日本专利 :CN119685801A ,2025-03-25

[5]

氮化硅膜的成膜方法和成膜装置 [P].

村上博纪 ;

渡边要介 ;

长谷部一秀 .

中国专利 :CN102560417A ,2012-07-11

[6]

氮化硅膜的成膜方法和成膜装置 [P].

加藤寿 ;

高桥豊 ;

久保万身 .

中国专利 :CN109385626A ,2019-02-26

[7]

氮化硅膜的成膜方法、有机电子器件的制造方法和氮化硅膜的成膜装置 [P].

石川拓 .

中国专利 :CN103403847A ,2013-11-20

[8]

成膜方法和成膜装置以及存储介质 [P].

长谷部一秀 ;

冈田充弘 .

中国专利 :CN1808690A ,2006-07-26

[9]

成膜装置、成膜方法以及存储介质 [P].

加藤寿 .

中国专利 :CN107686984B ,2018-02-13

[10]

成膜方法、成膜装置以及存储介质 [P].

入宇田启树 .

中国专利 :CN108950520A ,2018-12-07

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